公开(公告)号：CN103579340B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。

公开(公告)号：CN103972097B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310150962.0

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙诗平 ,  王菘豊 ,  林经祥 ,  陈能国 ,  万幸仁

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明首先通过接收FinFET前体来制造FinFET器件。FinFET前体包括衬底，位于衬底上的鳍，位于鳍的两侧上的隔离区和位于衬底上的伪栅极堆叠件，该伪栅极堆叠件包括环绕鳍的一部分，这被称为栅极沟道区。去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽并且在栅极沟槽中沉积栅极介电层。在栅极介电层上共形的沉积金属应激层(MSL)。在MSL上沉积覆盖层。对MSL施加热处理以实现体积膨胀。然后去除覆盖层并且在MSL上形成金属栅极(MG)。

公开(公告)号：CN102148236B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010221419.1

申请日：2010-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙诗平 ,  李宗霖 ,  林经祥 ,  张志豪 ,  叶震南 ,  钟朝安

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底之上，该栅极堆叠包括一栅极介电层及一栅极电极；一间隙壁，形成于该栅极堆叠的侧壁上，其中该间隙壁的一顶表面高于该栅极堆叠的一顶表面；以及一保护层，位于该栅极堆叠之上，且至少部分填充由位于该栅极堆叠的该顶表面上的该间隙壁所围绕的一空间。本发明增加所生产的半导体元件的整体合格率，且半导体元件具有更高的可靠度。

公开(公告)号：CN116646313A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310272555.0

申请日：2023-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙诗平 ,  董志航 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了在封装的半导体器件中熔融接合半导体管芯的方法以及由该方法形成的封装的半导体器件。在实施例中，半导体封装件包括第一管芯，该第一管芯包括半导体衬底和延伸穿过半导体衬底的贯通孔；第二管芯，接合到第一管芯，第二管芯包括接合焊盘，接合焊盘通过金属‑至‑金属接合而物理和电耦接到贯通孔；以及密封材料，位于第一管芯上并且横向封装第二管芯。本发明的实施例还提供了形成半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN107818974B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201710821674.1

申请日：2017-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  林修任 ,  游明志 ,  郑明达 ,  赖怡仁 ,  苏昱泽 ,  孙诗平 ,  陈扬哲

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明的实施例提供的一种实施例封装件包括第一封装件。第一封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂，以及位于密封剂和第一集成电路管芯上方的再分布层。该封装件还包括通过多个功能连接件接合至第一封装件的第二封装件。功能连接件和再分布层将第二封装件的第二集成电路管芯电连接至第一集成电路管芯。该封装件还包括设置在第一封装件和第二封装件之间的多个伪连接件。多个伪连接件中的每个伪连接件的朝向第一封装件的一端与第一封装件物理地分离。本发明的实施例还提供了一种形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN103811550B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310034600.5

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王菘豊 ,  时定康 ,  林经祥 ,  孙诗平 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。

公开(公告)号：CN103579340A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。

公开(公告)号：CN101877317A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010171468.9

申请日：2010-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 董志航 ,  林经祥 ,  张正宏 ,  孙诗平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种非平坦晶体管及其制造方法，其中制造方法包括：在一半导体鳍状物的第一部分上形成一通道区域，该半导体鳍状物包括一顶表面与侧壁；在该半导体鳍状物的通道区域上形成一栅极电极；使用一选择性外延成长工艺在该栅极电极的相对侧上的该半导体鳍状物的顶表面与侧壁上成长一临场掺杂的半导体层；以及将至少部分的该掺杂的半导体层转变成一富含掺杂物的区域。

公开(公告)号：CN118192006A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410198639.9

申请日：2024-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  孙诗平 ,  梁世纬

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本申请的实施例提供了光学器件和制造方法，制造方法形成光学器件的第一有源层。在形成光学器件的第一有源层之后，在光学器件的第一有源层上方制造光学器件的第二有源层，其中，形成光学器件的第二有源层以产生具有晶体材料的光学器件。本申请的实施例还涉及制造光学器件的方法。

公开(公告)号：CN103972097A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310150962.0

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙诗平 ,  王菘豊 ,  林经祥 ,  陈能国 ,  万幸仁

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明首先通过接收FinFET前体来制造FinFET器件。FinFET前体包括衬底，位于衬底上的鳍，位于鳍的两侧上的隔离区和位于衬底上的伪栅极堆叠件，该伪栅极堆叠件包括环绕鳍的一部分，这被称为栅极沟道区。去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽并且在栅极沟槽中沉积栅极介电层。在栅极介电层上共形的沉积金属应激层(MSL)。在MSL上沉积覆盖层。对MSL施加热处理以实现体积膨胀。然后去除覆盖层并且在MSL上形成金属栅极(MG)。