公开(公告)号：CN113675163B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202110748104.0

申请日：2021-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了具有改进的凸块下金属化布局的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括IC芯片；互连结构，耦合到IC管芯并包括金属化图案，金属化图案包括延伸穿过电介质层的通孔部分；第二电介质层，与IC管芯相对的位于电介质层上方；以及第二金属化图案，耦接至金属化图案，并包括位于电介质层中的线部分和延伸穿过第二电介质层的第二通孔部分；以及UBM，位于第二金属化图案和第二电介质层上方，UBM耦合到第二金属化图案，通孔部分的中心线和第二通孔部分的第二中心线与UBM的第三中心线未对准，中心线和第二中心线在第三中心线的相对两侧。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN115249683A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210578750.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  叶书伸 ,  杨哲嘉 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16

Abstract: 一种封装结构，包括第一导电垫层，位于绝缘层之中；第一凸块下冶金结构，位于绝缘层之下，在平面图中，第一凸块下冶金结构的第一区域受限于第一导电垫层的第二区域之中；以及第一导电导孔，位于绝缘层之中，且垂直连接至第一导电垫层及第一凸块下冶金结构。

公开(公告)号：CN115064506A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210486804.1

申请日：2022-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/762 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括封装基板、半导体装置、底部填充元件以及凹槽。半导体装置通过多个电连接件接合到封装基板的表面。底部填充元件形成在半导体装置与封装基板的表面之间，以围绕并保护所述电连接件。底部填充元件包括横向延伸超出半导体装置的外围并沿着半导体装置的外围形成的带状部。凹槽形成在带状部中并与半导体装置的外围间隔开。

公开(公告)号：CN114883289A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110655716.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包含包封半导体器件和重布线结构。包封半导体器件包含由包封材料包封的半导体器件。重布线结构上覆于包封半导体器件且包含多个通孔和重布线。多个通孔分别位于重布线结构的不同层上且通过多个导电线彼此连接，其中从俯视图看，多个导电线中的相邻两个之间所夹的角度大于零。重布线设置在多个导电线之下且连接多个通孔中的对应一个，且通过多个通孔电连接到半导体器件。

公开(公告)号：CN110875195A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910711468.4

申请日：2019-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄博尧 ,  蔡柏豪 ,  郑心圃 ,  陈硕懋 ,  游明志

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/552 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065

Abstract: 提供芯片封装体的结构及其形成方法。方法包含在承载基底上形成多个导电结构。方法也包含在承载基底上设置半导体晶粒使得导电结构环绕半导体晶粒。方法还包含形成保护层以环绕导电结构和半导体晶粒。此外，方法包含在半导体晶粒和导电结构上设置屏蔽层。屏蔽层与导电结构电性连接。

公开(公告)号：CN104465542B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410341681.8

申请日：2014-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游明志 ,  李福仁 ,  林柏尧 ,  刘国全

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/11 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10613 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本文公开了一种器件，包括：具有第一侧的第一封装件，第一侧具有设置在其上的多个连接件；以及通过连接件安装在第一封装件上的第二封装件。模塑料设置在第一封装件的第一侧上以及第一封装件和第二封装件之间。多个应力消除结构(SRS)设置在模塑料中，多个SRS中的每个均包括位于模塑料中并且与多个连接件中的每个都间隔开的不含金属的腔。本发明涉及一种具有模塑通孔的叠层封装结构。

公开(公告)号：CN103035593A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210011507.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  卢景睿 ,  吴俊毅

IPC: H01L23/44 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及的是一种封装结构上的封装件，该封装结构上的封装件通过在第一封装件和第二封装件之间引入刚性热连接件来改进导热性和机械强度。该第一封装件具有第一衬底和穿过第一衬底的通孔。第一组传导元件与第一衬底的通孔相对准并且与其相连接。刚性热连接件与第一组传导元件以及第二封装件的管芯相连接。第二组传导元件与管芯相连接，底部衬底与第二组传导元件相连接。散热连接件可以是，例如，中介层、散热器或导热层。本发明还提供了一种封装结构上的封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN116864456A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310617618.1

申请日：2023-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许佳桂 ,  游明志 ,  李宗彦 ,  郑心圃

IPC: H01L23/24 ,  H01L25/16 ,  H01L21/54 ,  H01L21/50 ,  H10B80/00

Abstract: 多晶粒封装包含多晶粒封装中包含的集成电路晶粒中的多个非主动晶粒。可以包含非主动晶粒以减少在多晶粒封装中使用的封装胶材料及/或底部填充材料的量，这降低多晶粒封装中的热膨胀系数失配量。此外，多个非主动晶粒可以以相邻方式定位于两个或更多个主动集成电路晶粒之间。在多晶粒封装的特定区域中使用多个非主动晶粒增加多晶粒封装中的间隙数量。多晶粒封装中增加的间隙数量提供多晶粒封装中用于应力和应变吸收的区域的增加量，并使得多晶粒封装中的应力和应变分布更均匀。

公开(公告)号：CN115241151A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210577915.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪金华 ,  郑心圃 ,  林柏尧 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  游明志 ,  林昱圣

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括相邻的第一及第二半导体裸片，接合于中介基底上。芯片封装结构也包括一绝缘层，形成于中介基底上。绝缘层具有一第一部环绕第一及第二半导体裸片及一第二部延伸于第一半导体裸片的一第一侧壁与第二半导体裸片的一第二侧壁之间，并延伸于中介基底与第一及第二半导体裸片之间。第一侧壁的一顶端到第二侧壁的一顶端的一横向距离大于第一侧壁的一底端到第二侧壁的一底端的一横向距离。

公开(公告)号：CN110890352B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201910753783.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  庄博尧 ,  游明志 ,  郑心圃

IPC: H01L25/04 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/64

Abstract: 一种器件包括再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于再分布结构上并且电连接到再分布结构；天线结构，位于第一半导体器件上方，其中，天线结构包括与第一天线不同的第二天线，其中天线结构包括接合到第一导电柱的外部连接件，以及在天线结构和再分布结构之间延伸的模制材料，模制材料围绕第一半导体器件、第一天线、外部连接件和第一导电柱。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。