中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法

    公开(公告)号:CN115565991A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210919837.0

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 一种有机中介层包括:嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层;位于内连线级介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构;至少一个介电覆盖层,位于内连线级介电材料层的第二侧;接合级介电层,位于至少一个介电覆盖层上;金属垫结构,包括嵌入在至少一个介电覆盖层中的垫通孔部分以及嵌入在接合级介电层中的垫板部分;以及边缘密封环结构,从包括封装侧凸块结构的接合表面的第一水平面垂直延伸到包括金属垫结构的远侧平面的第二水平面。边缘密封环结构可包括不具有铝的金属环结构的垂直堆叠且横向围绕封装侧凸块结构和重分布内连线结构。本公开还涉及扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法。

    芯片结构与其形成方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114512465A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210001810.3

    申请日:2022-01-04

    Abstract: 提供一种芯片结构。芯片结构包含基板。芯片结构包含导电线,导电线位于基板的上方。芯片结构包含第一钝化层,第一钝化层位于基板与导电线的上方。芯片结构包含导电垫,导电垫位于第一钝化层的上方并覆盖导电线。导电垫比导电线更厚且更宽。芯片结构包含第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构,第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构穿过第一钝化层并直接连接于导电垫与导电线之间。芯片结构包含导电柱,导电柱位于导电垫的上方。

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