公开(公告)号：CN119495571A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411111624.0

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  郭炫廷 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 方法包括：在封装组件上沉积第一金属层，其中，封装组件包括第一器件管芯；在封装组件上形成介电层；以及在第一金属层上镀金属热界面材料。介电层包括位于金属热界面材料的相对侧上的部分。散热器接合在金属热界面材料上。散热器包括物理结合至金属热界面材料的第二金属层。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN118412291A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410400247.6

申请日：2024-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  邱肇玮 ,  陈信良 ,  裴浩然 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: 实施例提供了器件结构和形成器件结构的方法，该器件结构包括填充结构，以在填充结构的开口范围内捕获焊料材料。一个器件的金属柱可以穿透非导电膜并且接触另一器件的焊料区域。不需要单独的底部填充物。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115863178A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210854112.8

申请日：2022-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑佳申 ,  张家纶 ,  裴浩然 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施另一激光射击。另一激光射击的另一激光光斑与位置的每个重叠。另一激光射击去除绝缘层的位于另一激光光斑下方的另一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置重复实施另一激光射击多次，直至去除绝缘层的期望部分。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113539846A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110800467.4

申请日：2021-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑佳申 ,  陈威宇 ,  钟宇轩 ,  林修任 ,  谢静华 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。

公开(公告)号：CN110880457A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910831648.6

申请日：2019-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  潘国龙 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

Abstract: 一种方法包括在载体上方形成复合材料层，该复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒，在复合材料层的第一侧上方形成一组通孔，将管芯附接在复合材料层的第一侧上方，管芯与该组通孔间隔开，在复合材料层的第一侧上方形成模制材料，模制材料最少横向密封管芯和该组通孔的通孔，在管芯和模制材料上方形成再分布结构，再分布结构电连接到通孔，在与第一侧相对的复合材料层的第二侧中形成开口，以及在开口中形成导电连接件，导电连接件电连接到通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110660682A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811286453.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  谢静华 ,  陈正庭 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  曹智强 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。

公开(公告)号：CN108695242A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711191306.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  林志伟 ,  林修任 ,  陈志华 ,  郑明达 ,  谢静华 ,  蔡豪益 ,  刘重希

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种形成封装结构的方法，包含：设置半导体装置在第一介电层上方，其中第一重分布线在第一介电层中；形成模制化合物在第一介电层上方并与半导体装置的侧壁接触；形成第二介电层在模制化合物及半导体装置上方；形成第一开口在第二介电层、模制化合物及第一介电层中以暴露第一重分布线；以及形成第一导体在第一开口中，其中第一导体电连接至第一重分布线。

公开(公告)号：CN107818974A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710821674.1

申请日：2017-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  林修任 ,  游明志 ,  郑明达 ,  赖怡仁 ,  苏昱泽 ,  孙诗平 ,  陈扬哲

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明的实施例提供的一种实施例封装件包括第一封装件。第一封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂，以及位于密封剂和第一集成电路管芯上方的再分布层。该封装件还包括通过多个功能连接件接合至第一封装件的第二封装件。功能连接件和再分布层将第二封装件的第二集成电路管芯电连接至第一集成电路管芯。该封装件还包括设置在第一封装件和第二封装件之间的多个伪连接件。多个伪连接件中的每个伪连接件的朝向第一封装件的一端与第一封装件物理地分离。本发明的实施例还提供了一种形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN106684033A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610600201.4

申请日：2016-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家纶 ,  刘重希 ,  林修任 ,  陈宪伟 ,  郑明达 ,  陈威宇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/03015 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明的实施例提供了形成连接件衬垫结构、互连结构的方法及其结构。在一些实施例中，形成连接件衬垫结构的方法包括形成球下金属化(UBM)衬垫，以及通过将UBM衬垫暴露于等离子体处理来增加UBM衬垫的表面粗糙度。聚合物材料形成在UBM衬垫的第一部分上方，而暴露UBM衬垫的第二部分。

公开(公告)号：CN103111698B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210074975.X

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林修任 ,  林志伟 ,  陈正庭 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: B23K1/005 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

Abstract: 一种方法包括：将覆盖件置于下部封装元件的上方，其中，覆盖件包括与下部封装元件对准的开口。将上部封装元件置于下部封装元件的上方。上部封装元件与开口对准，在上部封装元件和下部封装元件之间设置焊料区域。将覆盖件和上部封装元件暴露在辐射中，以回流焊料区域。本发明还公开了用于形成半导体封装件的方法。