-
公开(公告)号：CN110957305A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910922374.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN109786340A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810996129.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。
-
公开(公告)号：CN114388374A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110409550.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。
-
公开(公告)号：CN113056097A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011117507.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN110660682B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201811286453.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786340B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810996129.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。
-
公开(公告)号：CN111261531A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205785.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/58
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；位于密封剂上的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯，再分布结构包括焊盘；无源器件，包括物理和电连接至焊盘的导电连接件；以及保护结构，设置在无源器件和再分布结构之间，保护结构围绕导电连接件，保护结构包括环氧树脂助焊剂，保护结构中设置有空隙。本发明的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。
-
公开(公告)号：CN109309071A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710778117.6
申请日：2017-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 提供一种集成扇出型封装，所述集成扇出型封装包括集成电路组件、绝缘包封体、重布线路结构及多个导电端子。所述绝缘包封体在侧向上包封所述集成电路组件的侧壁。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体及所述集成电路组件上。所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件且所述重布线路结构包括多个球接垫。所述导电端子中的每一者包括导电球及环形助焊剂结构，其中所述导电球中的每一者设置在所述球接垫中的一个上且电连接到所述球接垫中的所述一个。所述环形助焊剂结构中的每一者设置在所述重布线路结构上。所述环形助焊剂结构中的每一者围绕所述导电球的底部部分设置且接触所述导电球的所述底部部分。还提供一种制作集成扇出型封装的方法。
-
公开(公告)号：CN115863178A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210854112.8
申请日：2022-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施另一激光射击。另一激光射击的另一激光光斑与位置的每个重叠。另一激光射击去除绝缘层的位于另一激光光斑下方的另一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置重复实施另一激光射击多次，直至去除绝缘层的期望部分。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN110660682A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811286453.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.033 seconds)
