-
公开(公告)号：CN110265310B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201910023496.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。
-
公开(公告)号：CN110957305A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910922374.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN109786340A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810996129.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。
-
公开(公告)号：CN119581464A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411257784.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体封装件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中介层。半导体器件位于中介层的第一侧上，并且光学器件位于中介层的第一侧上并且紧邻半导体器件。第一密封剂层包括第一部分和第二部分。第一密封剂层的第一部分位于中介层的第一侧上并且沿半导体器件的侧壁。间隙位于光学器件的第一侧壁和第一密封剂层的第一部分的第二侧壁之间。衬底位于中介层的第二侧上方。半导体器件和光学器件通过中介层电耦合至衬底。本申请的实施例还涉及半导体封装件和封装的方法。
-
公开(公告)号：CN113113318A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110275797.6
申请日：2019-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/525 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L25/18
Abstract: 在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110299326A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910145215.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。
-
公开(公告)号：CN110265310A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910023496.7
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。
-
公开(公告)号：CN119270426A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411302095.2
申请日：2024-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提出了光学器件和制造方法，其中利用反射镜结构来向光学器件传输光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，反射镜结构从光学器件的外部接收光信号，并且通过至少一个反射镜将光信号定向至光学器件的光学组件。本申请的实施例还涉及光学器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN115863178A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210854112.8
申请日：2022-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施另一激光射击。另一激光射击的另一激光光斑与位置的每个重叠。另一激光射击去除绝缘层的位于另一激光光斑下方的另一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置重复实施另一激光射击多次，直至去除绝缘层的期望部分。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN113539846A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110800467.4
申请日：2021-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.029 seconds)
