公开(公告)号：CN119270426A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411302095.2

申请日：2024-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玟志 ,  郭震宇 ,  陈彦宏 ,  郭炫廷 ,  郑佳申 ,  李兆伟 ,  谢静华 ,  邱文智 ,  陈明发 ,  侯上勇

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

Abstract: 提出了光学器件和制造方法，其中利用反射镜结构来向光学器件传输光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，反射镜结构从光学器件的外部接收光信号，并且通过至少一个反射镜将光信号定向至光学器件的光学组件。本申请的实施例还涉及光学器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110120372A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910389241.2

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  陈彦宏 ,  陈盈桦 ,  廖鄂斌 ,  杨固峰 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及具有衬底通孔结构的器件及其形成方法。本发明的器件包括：位于半导体衬底上的第一介电层、形成在第一介电层中的栅电极、以及穿透第一介电层并延伸至半导体衬底内的衬底通孔(TSV)结构。TSV结构包括导电层、环绕导电层的扩散阻挡层以及环绕扩散阻挡层的隔离层。在TSV结构的导电层的顶面上形成包括钴的覆盖层。

公开(公告)号：CN104425451A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310603941.X

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  陈彦宏 ,  陈盈桦 ,  廖鄂斌 ,  杨固峰 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有衬底通孔结构的器件及其形成方法。本发明的器件包括：位于半导体衬底上的第一介电层、形成在第一介电层中的栅电极、以及穿透第一介电层并延伸至半导体衬底内的衬底通孔（TSV）结构。TSV结构包括导电层、环绕导电层的扩散阻挡层以及环绕扩散阻挡层的隔离层。在TSV结构的导电层的顶面上形成包括钴的覆盖层。

公开(公告)号：CN221977934U

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202323369495.9

申请日：2023-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖仁骏 ,  陈彦宏 ,  谢静华 ,  吴松岳 ,  林志伟 ,  叶宫辰

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种集成电路封装件，其包括第一集成电路管芯、沿第一集成电路管芯的侧壁的绝缘层及接合到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯。第一集成电路管芯包括第一衬底、在第一衬底前侧上的第一内连线结构及在第一内连线结构上的第一接合层，第一内连线结构在第一接合层和第一衬底之间。第二集成电路管芯包括第二衬底、在第二衬底前侧上的第二内连线结构、在第二内连线结构上的第二接合层，第二内连线结构在第二接合层和第二衬底之间。第一接合层的表面与第二接合层的表面直接接触。第一接合层的侧壁和第二接合层的表面夹锐角。