公开(公告)号：CN113056097B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011117507.7

申请日：2020-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹智强 ,  邱肇玮 ,  郭炫廷 ,  张家纶 ,  翁正轩 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H05K1/18 ,  H05K3/34

Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117766410A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311636648.3

申请日：2023-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  谢静华 ,  余人睿 ,  翁正轩 ,  林修任 ,  郭炫廷

IPC: H01L21/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/498

Abstract: 本揭露实施例提供包括使用焊料的半导体组件及其制造方法。在实施例中，焊料使用第一抗张加强材料、第二抗张加强材料以及共晶调整材料。藉由使用此些材料，所形成且经使用的焊料可具有较少的针状结晶。若非使用此些材料，可能在放置与使用焊料的期间产生针状结晶。

公开(公告)号：CN111883481B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202010740046.2

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈孟泽 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  黄晖闵 ,  郭炫廷 ,  郑明达

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明提供一种方法，包括：在载体衬底上方形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯，第一再分布层形成在第一管芯上方并耦接至第一管芯，第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层，第二管芯附着于再分布层上方，在第二管芯和第一再分布层上方层压第一介电材料，形成穿过第一介电材料至第二管芯的第一通孔，并且形成穿过第一介电材料至第一再分布层的第二通孔，以及在第一介电材料上方以及在第一通孔和第二通孔上方形成第二再分布层，并且第二再分布层耦接至第一通孔和第二通孔。本发明还提供一种结构。

公开(公告)号：CN106328619A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510756143.X

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈孟泽 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  黄晖闵 ,  郭炫廷 ,  郑明达

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种方法，包括：在载体衬底上方形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯，第一再分布层形成在第一管芯上方并耦接至第一管芯，第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层，第二管芯附着于再分布层上方，在第二管芯和第一再分布层上方层压第一介电材料，形成穿过第一介电材料至第二管芯的第一通孔，并且形成穿过第一介电材料至第一再分布层的第二通孔，以及在第一介电材料上方以及在第一通孔和第二通孔上方形成第二再分布层，并且第二再分布层耦接至第一通孔和第二通孔。本发明还提供一种结构。

公开(公告)号：CN104659002A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410369383.X

申请日：2014-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林修任 ,  吕文雄 ,  陈正庭 ,  郭炫廷 ,  陈威宇 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03829 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05811 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/111 ,  H05K3/34 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01081 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，包括：接触焊盘；位于接触焊盘外部的器件；以及位于接触焊盘上的焊料凸块。该器件具有与接触焊盘相对应的导电接触焊盘。该焊料凸块将接触焊盘与导电接触焊盘连接。焊料凸块包括从焊料凸块的顶部至接触焊盘的高度以及宽度，该宽度为焊料凸块在垂直于高度的方向上的最宽尺寸。靠近接触焊盘的焊料凸块的接合部包括沙漏形状。本发明涉及半导体封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN119495571A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411111624.0

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  郭炫廷 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 方法包括：在封装组件上沉积第一金属层，其中，封装组件包括第一器件管芯；在封装组件上形成介电层；以及在第一金属层上镀金属热界面材料。介电层包括位于金属热界面材料的相对侧上的部分。散热器接合在金属热界面材料上。散热器包括物理结合至金属热界面材料的第二金属层。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119270426A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411302095.2

申请日：2024-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林玟志 ,  郭震宇 ,  陈彦宏 ,  郭炫廷 ,  郑佳申 ,  李兆伟 ,  谢静华 ,  邱文智 ,  陈明发 ,  侯上勇

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

Abstract: 提出了光学器件和制造方法，其中利用反射镜结构来向光学器件传输光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，反射镜结构从光学器件的外部接收光信号，并且通过至少一个反射镜将光信号定向至光学器件的光学组件。本申请的实施例还涉及光学器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN110660682A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811286453.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  谢静华 ,  陈正庭 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  曹智强 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。

公开(公告)号：CN119517851A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411560964.1

申请日：2024-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱肇玮 ,  郭炫廷 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括衬底、具有接合至衬底的半导体管芯的半导体封装组件、附接至衬底的盖子以及位于半导体封装组件和盖子之间的第一复合金属部件。第一复合金属部件可以包括具有第一材料的第一金属部件和具有第二材料的第二金属部件。第一材料可以是金属间化合物。第二材料可以不同于第一材料。

公开(公告)号：CN111883443A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010734386.4

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  刘重希 ,  林修任 ,  陈宪伟 ,  郑明达 ,  陈威宇 ,  曹智强

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/98 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供了封装结构中的可变互连接头。一种实施例方法，包括分析第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性并且在第一封装组件上形成多个焊料膏元件。多个焊料膏元件中的每一个的体积基于第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性。方法还包括将设置在第二封装组件上的多个连接件对准第一封装件上的多个焊料膏元件，并且通过回流多个连接件和多个焊料膏元件将第二封装组件接合至第一封装组件。