形成半导体器件的方法以及半导体器件

    公开(公告)号:CN110010503A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201811487556.2

    申请日:2018-12-06

    摘要: 根据本发明的实施例,提供了一种形成半导体器件的方法,包括在第一介电层上方形成金属杆,在第一介电层上方附接第二介电层,将器件管芯、第二介电层、屏蔽结构和金属杆密封在密封材料中,平坦化密封材料以暴露器件管芯、屏蔽结构和金属杆,并且形成电连接至器件管芯的天线。天线具有与器件管芯的部分垂直对准的部分。根据本发明的实施例还提供了另一种形成半导体器件的方法以及一种半导体器件。

    3D封装件结构及其形成方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111883481A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010740046.2

    申请日:2015-11-09

    摘要: 本发明提供一种方法,包括:在载体衬底上方形成第一管芯封装件,第一管芯封装件包括第一管芯,第一再分布层形成在第一管芯上方并耦接至第一管芯,第一再分布层包括设置在一层或多层介电层中的一层或多层金属层,第二管芯附着于再分布层上方,在第二管芯和第一再分布层上方层压第一介电材料,形成穿过第一介电材料至第二管芯的第一通孔,并且形成穿过第一介电材料至第一再分布层的第二通孔,以及在第一介电材料上方以及在第一通孔和第二通孔上方形成第二再分布层,并且第二再分布层耦接至第一通孔和第二通孔。本发明还提供一种结构。