公开(公告)号：CN107342272A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710242963.6

申请日：2017-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡佩君 ,  张纬森 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R1/073 ,  G01R31/00 ,  G01R31/02 ,  G01R31/28 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48

Abstract: 提供半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构包含基底及导电焊垫形成于基底之上。半导体装置结构包含保护层形成于导电焊垫之上，且保护层具有沟槽。半导体装置结构包含导电结构形成于沟槽内且形成于保护层上。导电结构电性连接于导电焊垫，且导电结构具有内凹顶面，内凹顶面的最低点高于保护层的顶面。

公开(公告)号：CN107342232A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710170781.2

申请日：2017-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈星兆 ,  林志伟 ,  陈孟泽 ,  黄晖闵 ,  郑明达 ,  潘国龙 ,  张纬森 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/566 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/315 ,  H01L23/585 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/03

Abstract: 本揭露提供了一种晶片封装体的形成方法。方法包括于承载基底之上形成数个导电结构，及于承载基底之上设置半导体晶片。方法还包括于承载基底之上设置模子。方法更包括于模子与承载基底之间形成保护层来围绕半导体晶片及导电结构。此外，方法包括移除模子。

公开(公告)号：CN103681541B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310161095.0

申请日：2013-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张纬森 ,  江宗宪 ,  胡延章 ,  萧景文

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了具有嵌入式散热器的器件及其形成方法。载体衬底可以包括载体、粘合层、基底膜层和晶种层。形成具有散热器开口和通孔开口的图案化掩模。可以采用喷镀工艺在图案掩模开口中同时形成通孔和散热器，管芯通过管芯附接层附接至散热器。在管芯和散热器上方施加模塑料使得散热器设置在模制衬底的第二面处。第一RDL可以具有多个安装焊盘，在模制衬底上形成多条导线，安装焊盘的接合间距可以大于管芯接触焊盘的接合间距。

公开(公告)号：CN104009019A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310199157.7

申请日：2013-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧景文 ,  林志伟 ,  张纬森 ,  胡延章 ,  潘国龙 ,  黄育智

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/50 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16198 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了层叠封装件的外围电连接，在管芯边缘处使用通过将衬底通孔(TSV)锯为两半而形成的侧壁通孔(TsV)来形成管芯封装件的机制的各个实施例能够使各种半导体管芯和无源部件电连接以实现目标电性能。与TsV一起使用具有再分布层(RDL)的再分布结构能够实现电连接。由于TsV远离器件区域，所以器件区域不会经受TSV形成所引起的应力。此外，通过TsV电连接上部管芯与下部管芯增加了管芯封装件的面积利用率。

公开(公告)号：CN114220786A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111305467.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋伟韩 ,  郑明达 ,  郑敬禾 ,  张纬森 ,  许鸿生 ,  萧景文 ,  陈俊宏

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及半导体结构、有机中介层及其形成方法。该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所述至少一介电覆盖层之上。双层电感结构可包括下导电线圈、导电通孔结构以及上导电线圈。下导电线圈内埋于最顶层互连级介电材料层内。导电通孔结构垂直地延伸通过所述至少一介电覆盖层。上导电线圈内埋于接合级介电层内，并包括铜。

公开(公告)号：CN106057758A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610223678.5

申请日：2016-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智浩 ,  江宗宪 ,  陈冠宇 ,  张纬森 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  余振华

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/18162 ,  H01L24/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 用于形成器件封装件的方法包括在多个管芯周围形成模塑料以及在管芯上方层压聚合物层。在形成模塑料时，管芯的顶面由膜层覆盖，并且聚合物层横向延伸超出管芯的边缘部分。该方法还包括在聚合物层中形成导电通孔，其中，导电通孔在管芯的一个的顶面处电连接至接触焊盘。本发明的实施例还涉及用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103681541A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310161095.0

申请日：2013-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张纬森 ,  江宗宪 ,  胡延章 ,  萧景文

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了具有嵌入式散热器的器件及其形成方法。载体衬底可以包括载体、粘合层、基底膜层和晶种层。形成具有散热器开口和通孔开口的图案化掩模。可以采用喷镀工艺在图案掩模开口中同时形成通孔和散热器，管芯通过管芯附接层附接至散热器。在管芯和散热器上方施加模塑料使得散热器设置在模制衬底的第二面处。第一RDL可以具有多个安装焊盘，在模制衬底上形成多条导线，安装焊盘的接合间距可以大于管芯接触焊盘的接合间距。

公开(公告)号：CN106920787B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201611055735.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  黄育智 ,  陈玉芬 ,  潘国龙 ,  郑余任 ,  李明机 ,  普翰屏 ,  张纬森

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。

公开(公告)号：CN107039287B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201611107415.4

申请日：2016-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘国龙 ,  张纬森 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希

IPC: H01L21/48

Abstract: 一种用于形成贯通孔的方法包括在封装件上方形成介电层和在介电层上方形成RDL的步骤，其中，形成RDL包括形成晶种层，在晶种层上方形成第一图案化掩模，以及执行第一金属镀敷的步骤。该方法还包括在RDL的第一部分的顶部上形成贯通孔，其中，形成贯通孔包括在晶种层和RDL上方形成第二图案化掩模，以及执行第二金属镀敷。该方法还包括附接芯片至RDL的第二部分，以及将芯片和贯通孔包封在包封材料中。本发明实施例涉及双侧集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107424940A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201611024387.X

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智浩 ,  廖信宏 ,  蔡豪益 ,  黄见翎 ,  张纬森 ,  江宗宪 ,  郭庭豪

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111

Abstract: 一种集成扇出型封装的制造方法包括下列步骤。将多个导电柱体放置在衬底的多个开孔中。提供具有黏合层在其上的载板。将开孔中的导电柱体贴附至黏合层上，以使站立状态的导电柱体被转移到载板上。将集成电路组件设置在具有导电柱体贴附在其上的黏合层上。形成绝缘包封体以包覆集成电路组件以及导电柱体。在绝缘包封体、集成电路组件以及导电柱体上形成重布线路结构，重布线路结构与集成电路组件以及导电柱体电性连接。移除载板。移除至少部分的黏合层以将导电柱体的表面暴露。在导电柱体被暴露的表面上形成多个导电端子。