-
公开(公告)号：CN111125985A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911051432.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 提供系统故障定位系统和方法，该方法利用计算GDS辅助导航来加速物理故障分析以识别系统故障位置和图案。在一些实施例中，一种方法包括检测半导体晶圆的多个管芯的多个电故障区域。生成与多个电气故障区域相关联的分解的图形数据库系统(GDS)跨层剪辑。基于分解的GDS跨层剪辑识别多个跨层公共图案。可以针对每个跨层公共图案确定归一化差分，并且可以基于确定的归一化差分来识别每个管芯中的热点的位置。
-
公开(公告)号：CN111113255A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910933035.3
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , B24B53/017 , B24B57/02
Abstract: 一种用于预测半导体处理设备的一个或多个机械组件的不规律运动的系统及方法。一种机械运动不规律性预测系统包括一个或多个运动传感器，所述一个或多个运动传感器感测与半导体处理设备的至少一个机械组件相关联的运动相关参数。所述一个或多个运动传感器基于所感测到的运动相关参数输出感测信号。缺陷预测电路系统基于感测信号预测所述至少一个机械组件的不规律运动。
-
公开(公告)号：CN109848839A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810768065.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 对晶圆实施平坦化工艺。在各个实施例中，平坦化工艺可以包括化学机械抛光(CMP)工艺。收集并分析由平坦化工艺产生的副产物。基于分析，实施用于平坦化工艺的一种或多种工艺控制。在一些实施例中，工艺控制包括(但不限于)工艺终点检测或基于检测与平坦化工艺相关联的错误而停止平坦化工艺。本发明还提供了平坦化工艺控制的实施方法及集成电路制造系统。
-
公开(公告)号：CN107584410A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710367508.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 为了提供改进的平坦化，根据本发明的实施例的技术包括CMP工作站，CMP工作站包括具有多个孔的支撑板。多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。本发明的实施例也公开了其他系统和方法。本发明的实施例还涉及化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法。
-
公开(公告)号：CN106791757A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510815762.1
申请日：2015-11-23
Applicant: 创意电子股份有限公司 , 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N9/73
CPC classification number: H04N1/60 , G06K9/6202 , H04N1/6086 , H04N9/73 , H04N9/735
Abstract: 本发明揭露一种影像校正系统及其方法。影像校正系统包含储存装置以及处理器。储存装置储存多个参考图形，且每一参考图形对应于一色温，处理器用以执行以下操作：接收输入影像，将输入影像转换成对应的多个输入色域点；依据输入色域点的分布产生输入图形，且输入图形包围此多个输入色域点；将输入图形与多个参考图形进行比对，据以产生比对结果；以及依据比对结果，估算输入影像对应的色温，进而为输入影像进行调整。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105845652A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610192275.9
申请日：2011-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L23/485 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L29/665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种衬底上具有栅极且栅极与源极/漏极(S/D)相邻的半导体器件。第一介电层覆盖栅极和S/D区域，第一介电层具有位于S/D区域上的第一接触孔且第一接触插塞由第一材料形成，第一接触插塞与各自的S/D区域连接。第二介电层覆盖第一介电层和第一接触插塞。由第二材料形成的第二接触插塞填充形成在第一介电层和第二介电层中的第二接触孔。第二接触插塞与形成在第二介电层中的栅极和互连结构连接，互连结构与第一接触插塞连接。第二材料与第一材料不同，且第二材料具有比第一材料低的电阻。
-
公开(公告)号：CN103165582B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210206166.X
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , G03F9/00
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/70633
Abstract: 本公开内容提供了集成电路结构，集成电路结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域，第二区域的面积小于大约10微米×10微米；第一材料层，位于半导体衬底的上方，并被图案化以在第一区域中具有第一电路部件以及在第二区域中具有第一标记；以及第二材料层，位于第一材料层的上方，并被图案化以在第一区域中具有第二电路部件以及在第二区域中具有第二标记。第一标记包括在第一方向上定向的第一标记部件和在垂直于第一方向的第二方向上定向的第二标记部件。第二标记包括在第一方向上定向的第三标记部件和在第二方向上定向的第四标记部件。本发明还提供了用于电子束芯片中重叠标记的结构和方法。
-
公开(公告)号：CN102456665A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110312112.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/08 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01G4/005 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , H01L2924/00
Abstract: 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。
-
公开(公告)号：CN100499121C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510087360.0
申请日：2005-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L27/0805 , H01L27/0808 , H01L28/40 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属-绝缘层-金属(MIM)、金属-氧化层-金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。
-
公开(公告)号：CN1606168A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410057104.2
申请日：2004-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种金属在金属上(MOM)的组件及其制造方法。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心指状物，每一中心指状物由其至少四个末端中的一末端于一象限中延伸；该框架部分也同样具有一或一个以上的框架指状物自此处延伸，每一框架指状物位于一象限中且不与位于同象限的中心指状物重叠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.051 seconds)
