公开(公告)号：CN100499121C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510087360.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平 ,  陈俊宏

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L28/40 ,  H01L29/93 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属-绝缘层-金属(MIM)、金属-氧化层-金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。

公开(公告)号：CN101000908A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610094199.4

申请日：2006-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。

公开(公告)号：CN1819194A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510087360.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平 ,  陈俊宏

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L28/40 ,  H01L29/93 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属－绝缘层－金属(MIM)、金属－氧化层－金属(MOM)和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情况下，增加此电容元件每单位的电容值。

公开(公告)号：CN100477214C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610094199.4

申请日：2006-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈岳猷 ,  张家龙 ,  赵治平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉(interdigitated)的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，各个该第一延伸板分别配置于各个该第一板状物上方；一系列的第一导通层，分别连接于各个该第一延伸板上；以及一第二板状物层，包含一系列相互交叉的第二板状物，各个该第二板状物分别连接于各个该第一导通层上；其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。本发明可有效地结合MOM电容器与MIM电容器，并还可改善对准误差所造成的影响。