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公开(公告)号：CN105590900A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510831260.8
申请日：2010-11-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0381 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/1162 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/11903 , H01L2224/13016 , H01L2224/13025 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/1354 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供一种用于使一基材与另一基材接合的凸块结构。一导电柱体形成于第一基材上，以使此导电柱体具有与一第二基材的接触表面不同的宽度。在一实施例中，第一基材的导电柱体为梯形或具有锥形侧壁，因而提供底部部分较顶部部分宽的导电柱体。所述基材均可为集成电路芯片、转接板、印刷电路板、高密度内连线或其类似物。本发明可减低关于交界处应力所产生的脱层问题。
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公开(公告)号：CN105374701A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510859451.5
申请日：2010-11-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/288 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/93 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 本发明提供一种形成装置的方法，包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件，以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理，其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后，进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善，且观察到空隙显著的减少。再者，界面变得更加平滑。因此，相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中，本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration,EM)性能提升，因此提升其可靠度。
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公开(公告)号：CN102315182B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010621954.6
申请日：2010-12-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/11831 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13007 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体芯片及其制造方法，其中半导体芯片包含一导电凸块位于一半导体芯片上。提供一基材，其上具有一连接焊盘，该连接焊盘上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，该顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于该铜柱的顶面上。该镍层的底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度的比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层的该顶面上。本发明可减少导电柱与焊料之间的界面因应力而产生的破裂。
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公开(公告)号：CN103187323A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110448915.5
申请日：2011-12-28
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
发明人： 马万里
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L23/3157 , H01L23/5256 , H01L23/62 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2224/0345 , H01L2224/0348 , H01L2224/03831 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01033 , H01L2924/00015
摘要： 本发明公开了一种半导体芯片及其压焊块金属层增厚制作方法，用以简化压焊块金属层增厚制作工艺，降低制作成本。所述压焊块金属层增厚制作方法包括：在硅衬底上生长第一金属层；对所述第一金属层进行光刻及刻蚀，获得包括金属熔丝和压焊块的金属走线；在所述金属走线上生长钝化层；对所述钝化层进行第一次光刻及刻蚀，获得露出压焊块区域的第一窗口；在具有所述第一窗口的钝化层上生长第二金属层；对所述第二金属层进行光刻及刻蚀，获得只覆盖压焊块区域的金属层，露出非压焊块区域的钝化层；对所述非压焊块区域的钝化层进行第二次光刻及刻蚀，获得露出金属熔丝区域的第二窗口。
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公开(公告)号：CN102403243A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110070913.7
申请日：2011-03-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开一种减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法，于附有基板的晶片上形成下金属层，该下金属层包括一叠于基板之上的阻挡层与一叠于阻挡层之上的籽晶层。接着将金属凸块直接生长于下金属层的第一部分之上；其中，下金属层的第二部分未被金属凸块覆盖，且该下金属层的第二部分包含籽晶层部分及阻挡层部分；随之进行第一次蚀刻以移除籽晶层部分，再对晶片进行第一次清洗。进行第二次蚀刻以移除阻挡层部分，再对晶片进行第二次清洗。从第一次蚀刻到第一次清洗的第一转换时间与从第二次蚀刻到第二次清洗的第二转换时间，至少一个转换时间约在一秒之内。因底切造成结构剥落的情形得以减少，金属凸块与再配置线工艺的可靠度也大幅提升。
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公开(公告)号：CN102254842A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010537792.8
申请日：2010-11-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/288 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/93 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 本发明提供一种形成装置的方法，包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件，以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理，其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后，进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善，且观察到空隙显著的减少。再者，界面变得更加平滑。因此，相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中，本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration，EM)性能提升，因此提升其可靠度。
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公开(公告)号：CN104347434B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410383467.9
申请日：2014-08-06
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： P.帕尔姆
CPC分类号： H01L23/585 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L2224/03831 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24246 , H01L2224/2518 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及用于制造芯片布置的方法和芯片布置。用于制造芯片布置的方法可以包含：彼此紧邻并且在载体上方安置包括至少一个接触的芯片和稳定化结构；通过密封结构的方式密封芯片和稳定化结构；并且形成导电连接到芯片的至少一个接触。
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公开(公告)号：CN104617056A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410825904.8
申请日：2010-11-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082
摘要： 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。
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公开(公告)号：CN104347562A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410377224.4
申请日：2014-08-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/06 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/70 , H01L24/73 , H01L2224/03831 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05557 , H01L2224/05578 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/06133 , H01L2224/06153 , H01L2224/09133 , H01L2224/09153 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45157 , H01L2224/45166 , H01L2224/45169 , H01L2224/45176 , H01L2224/45181 , H01L2224/45184 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48153 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73271 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/053 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12031 , H01L2924/12032 , H01L2924/1205 , H01L2924/1301 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要： 本发明公开了一种分段键合焊盘及其制造方法。根据本发明的实施例，一种半导体器件包括设置在衬底的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括第一多个焊盘区段。第一多个焊盘区段中的至少一个焊盘区段与第一多个焊盘区段中的其余焊盘区段电隔离。
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公开(公告)号：CN102403243B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110070913.7
申请日：2011-03-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开一种减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法，于附有基板的晶片上形成下金属层，该下金属层包括一叠于基板之上的阻挡层与一叠于阻挡层之上的籽晶层。接着将金属凸块直接生长于下金属层的第一部分之上；其中，下金属层的第二部分未被金属凸块覆盖，且该下金属层的第二部分包含籽晶层部分及阻挡层部分；随之进行第一次蚀刻以移除籽晶层部分，再对晶片进行第一次清洗。进行第二次蚀刻以移除阻挡层部分，再对晶片进行第二次清洗。从第一次蚀刻到第一次清洗的第一转换时间与从第二次蚀刻到第二次清洗的第二转换时间，至少一个转换时间约在一秒之内。因底切造成结构剥落的情形得以减少，金属凸块与再配置线工艺的可靠度也大幅提升。
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