专利检索 cpc:"H01L2224/48101" 第 1 页

1.

发明公开
形成于重掺杂衬底上的电容器审中-实审

公开(公告)号：CN108352377A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064173.7

申请日：2016-12-07

申请人： 密克罗奇普技术公司

发明人： G·迪克斯 , R·L·叶奇 , F·马齐利

IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/00 , H01L49/02

CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/31105 , H01L21/52 , H01L23/3142 , H01L23/48 , H01L23/5222 , H01L23/5223 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/42 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L28/00 , H01L28/40 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/14104 , H01L2224/1412 , H01L2224/16145 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/48101 , H01L2224/48105 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/8192 , H01L2924/00014 , H01L2924/1205 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/0665

摘要： 本发明的教示可应用于电容器的制造及设计。在这些教示的一些实施例中，电容器可形成于重掺杂衬底上。例如，一种用于制造电容器的方法可包含：在重掺杂衬底的第一侧上沉积氧化物层；在所述氧化物层上沉积第一金属层；及在所述重掺杂衬底的第二侧上沉积第二金属层。

2.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN104871307B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201280077812.5

申请日：2012-12-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 内田慎一 , 长濑宽和 , 船矢琢央

IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04

CPC分类号： H01L23/5227 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L27/0688 , H01L2223/6611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间，在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈，在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈，它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时，在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。

3.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN103828041B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280047577.7

申请日：2012-09-25

申请人： 夏普株式会社

发明人： 濑户刚

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/41 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/41725 , H01L29/4232 , H01L29/78 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40101 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45016 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48101 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

摘要： 半导体芯片（3）的栅极电极（4）/源极电极（5）通过导电体（11a/11b）分别与栅极端子（7）/源极端子（9）连接，栅极端子（7）的与导电体（11a）的接合部分以与栅极电极（4）接近的方式被配置，源极端子（9）的与导电体（11b）的接合部分以与源极电极（5）接近的方式被配置。

4.

发明公开
包括嵌入式控制器裸芯的半导体器件和其制造方法有权

公开(公告)号：CN104769712A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380052380.7

申请日：2013-01-28

申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司

发明人： S.库马尔 , 邱进添 , 钱开友 , 俞志明

IPC分类号： H01L25/00

CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/24227 , H01L2224/24247 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48482 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82102 , H01L2224/82105 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599

摘要： 一种半导体器件，包括基板(102)，其具有其中形成以用于接收半导体裸芯的腔体(112)。在各例子中，半导体裸芯是控制器裸芯(114)。可以用电迹线(120)来将控制器裸芯(114)连接到基板(102)，该电迹线(120)可以通过例如印刷来形成。在控制器裸芯(114)电连接到基板(102)之后，可以在腔体(112)和控制器裸芯(114)上方将一个或多个存储器裸芯(150)附着到基板(102)。

5.

发明公开
发光装置有权

公开(公告)号：CN104124319A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410171732.7

申请日：2014-04-25

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 米田章法 , 木内章喜 , 笠井久嗣 , 粟饭原善之 , 佐佐博凡 , 中村伸治

IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62

CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82

摘要： 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。

6.

发明公开
LED 有权

公开(公告)号：CN103855293A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201410038291.3

申请日：2014-01-26

申请人： 上海瑞丰光电子有限公司

发明人： 裴小明 , 曹宇星

IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48

CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L2224/48101 , H01L2924/00014

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种LED，所述LED包括用作LED正、负极的第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片以及正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片的LED覆晶晶片，所述LED覆晶晶片由荧光胶覆盖，所述荧光胶由透明封装胶覆盖，所述第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片相互靠近的两个侧面形成“凸”形贯穿槽。这样LED覆晶晶片的电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡，使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度，完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架，而具有极高的可靠性。此外，本LED封装成本极低。

7.

发明公开
晶体管装置失效

公开(公告)号：CN107731925A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710951315.8

申请日：2014-10-27

申请人： 安普林荷兰有限公司

发明人： 彼德拉·C·A·哈梅斯 , 约瑟夫斯·H·B·范德赞登 , 罗伯·马蒂兹·赫里斯 , 阿尔贝特·G·W·P·范佐耶伦

IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/41

CPC分类号： H01L25/16 , H01L23/5223 , H01L23/66 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/7817 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2224/45015 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48157 , H01L2224/48195 , H01L2224/49 , H01L2924/00014 , H01L2924/1205 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/20753 , H01L2224/05599 , H01L29/78 , H01L29/41

摘要： 一种晶体管装置，包括导电衬底；半导体本体，半导体本体包括晶体管结构，晶体管结构包括源极端子连接到所述衬底；接合焊盘，接合焊盘提供连接到晶体管结构，晶体管结构被配置为接收接合线；其中半导体本体包括射频返回电流路径用于传送与所述接合线相关的返回电流，所述射频返回电流路径包括布置在所述本体上的金属条，所述金属条配置为在所述接合焊盘下延伸和连接到晶体管结构的源极端子。

8.

发明授权
晶体管装置失效

公开(公告)号：CN104600099B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410584815.9

申请日：2014-10-27

申请人： 安普林荷兰有限公司

发明人： 彼德拉·C·A·哈梅斯 , 约瑟夫斯·H·B·范德赞登 , 罗伯·马蒂兹·赫里斯 , 阿尔贝特·G·W·P·范佐耶伦

IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/78

CPC分类号： H01L25/16 , H01L23/5223 , H01L23/66 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/7817 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2224/45015 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48157 , H01L2224/48195 , H01L2224/49 , H01L2924/00014 , H01L2924/1205 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/20753 , H01L2224/05599

摘要： 一种晶体管装置，包括导电衬底；半导体本体，半导体本体包括晶体管结构，晶体管结构包括源极端子连接到所述衬底；接合焊盘，接合焊盘提供连接到晶体管结构，晶体管结构被配置为接收接合线；其中半导体本体包括射频返回电流路径用于传送与所述接合线相关的返回电流，所述射频返回电流路径包括布置在所述本体上的金属条，所述金属条配置为在所述接合焊盘下延伸和连接到晶体管结构的源极端子。