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1.

发明公开
形成连接件衬垫结构、互连结构的方法及其结构无效

公开(公告)号：CN106684033A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610600201.4

申请日：2016-07-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张家纶 , 刘重希 , 林修任 , 陈宪伟 , 郑明达 , 陈威宇

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2221/68359 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/02175 , H01L2224/03015 , H01L2224/0346 , H01L2224/03828 , H01L2224/0383 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05017 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05557 , H01L2224/05559 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/10156 , H01L2224/11005 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11416 , H01L2224/11424 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/12105 , H01L2224/13026 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/215 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/00012 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L21/768 , H01L23/52

摘要： 本发明的实施例提供了形成连接件衬垫结构、互连结构的方法及其结构。在一些实施例中，形成连接件衬垫结构的方法包括形成球下金属化(UBM)衬垫，以及通过将UBM衬垫暴露于等离子体处理来增加UBM衬垫的表面粗糙度。聚合物材料形成在UBM衬垫的第一部分上方，而暴露UBM衬垫的第二部分。

2.

发明授权
半导体元件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN102347284B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201110037676.4

申请日：2011-02-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑明达 , 何明哲 , 刘重希 , 黄见翎 , 林正忠 , 蔡惠榕 , 林正怡

IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11416 , H01L2224/11422 , H01L2224/11424 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/118 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11822 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13005 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13339 , H01L2224/13562 , H01L2224/13584 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/1379 , H01L2224/13794 , H01L2224/13809 , H01L2224/13813 , H01L2224/13817 , H01L2224/13818 , H01L2224/1382 , H01L2224/13849 , H01L2224/13855 , H01L2224/13857 , H01L2224/1386 , H01L2224/13866 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/93 , H01L2225/06513 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2224/11 , H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。

3.

发明授权
集成开关电源的倒装封装装置及其倒装封装方法有权

公开(公告)号：CN102842564B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210335201.8

申请日：2012-09-12

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 谭小春

IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/91 , H01L25/50 , H01L29/7816 , H01L2224/0401 , H01L2224/11424 , H01L2224/11464 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14131 , H01L2224/14134 , H01L2224/14177 , H01L2224/14515 , H01L2224/16057 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/1713 , H01L2224/1751 , H01L2224/81191 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M3/1588 , H03K17/56 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H05K2201/10962 , Y02B70/1466 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种集成开关电源的倒装封装装置及其倒装封装方法。所述倒装封装结构包括一重分布层，其重分布层单元的第一表面用以连接所述第一组凸块中的电极性相同的凸块；所述重分布层单元的第二表面包括一组第二组凸块，所述第二组凸块用以将所述电极性进行重新排布；一引线框架的一组引脚的第一表面与所述第二组凸块中的电极性相同的凸块连接，以使所述引脚具有相应的电极性；一倒装片封装结构，用以将所述硅片、所述第一组凸块、所述第二组凸块和所述引线框架进行封装，并利用所述引线框架的第二表面来实现所述集成开关电源与外部PCB板之间的电气连接。

4.

发明公开
集成电路封装件及其形成方法无效

公开(公告)号：CN106997855A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611222981.X

申请日：2016-12-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 潘国龙 , 刘重希 , 蔡豪益 , 陈玉芬 , 郑余任

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： B81C1/0023 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00888 , B81C2203/0792 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/08225 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11424 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15151 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H05K999/00 , H05K999/99 , H01L2224/19 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2224/11 , H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/27

摘要： 本发明的实施例提供了一种集成电路封装件以及其形成方法。一种方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体，第一管芯具有第一接触焊盘，第二管芯具有第二接触焊盘，第一接触焊盘和第二接触焊盘具有不同的结构。释放层形成在第一管芯和第二管芯上方。在载体和释放层之间注射包封剂。在第一管芯、第二管芯和包封剂上方形成一个或多个再分布层(RDL)，第一接触焊盘和第二接触焊盘与一个或多个RDL电接触。

5.

发明授权
半导体管芯与导电柱的形成方法有权

公开(公告)号：CN102315188B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010597704.3

申请日：2010-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕文雄 , 郑明达 , 林志伟 , 何明哲 , 刘重希

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11424 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13076 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13647 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2224/13655 , H01L2224/81 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明一实施例公开了一种半导体管芯与导电柱的形成方法，该半导体管芯包含导电柱位于半导体管芯上。首先提供基板。接合垫位于基板上，且导电柱位于接合垫上。导电柱具有上表面、边缘侧壁、与高度。盖层位于导电柱的上表面上，并沿着导电柱的边缘侧壁延伸一段长度。焊料位于盖层的上表面上。本发明提供的方法可以改良铜柱的结构与形成方法以应用于半导体晶片，使其具有强大的电性效能。

6.

发明公开
用于去除底切的UMB蚀刻方法有权

公开(公告)号：CN102867757A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110340122.1

申请日：2011-11-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 雷弋易 , 郭宏瑞 , 刘重希 , 李明机 , 余振华

IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498

CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/036 , H01L2224/03632 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

摘要： 一种方法，包括形成衬底上方的凸块下金属(UBM)层以及形成UBM层上方的掩模。该掩模覆盖UBM层的第一部分，而UBM层的第二部分通过掩模中的开口暴露。在开口中和UBM层的第二部分上形成了金属凸块。然后，去除掩模。执行激光去除来去除UBM层的第一部分的部分并且形成UBM。本发明还公开了一种用于去除底切的UMB蚀刻方法。

7.

发明公开
半导体装置的制造方法无效

公开(公告)号：CN102315175A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010558961.6

申请日：2010-11-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘重希 , 郭宏瑞 , 周孟纬

IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/3157 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包含形成含有阻挡层及晶种层于阻挡层上的凸块下金属层；及形成掩模于凸块下金属层上。掩模覆盖凸块下金属层的第一部分，并借由掩模中的开口暴露出凸块下金属层的第二部分，其中凸块下金属层的第一部分包含阻挡层部分及晶种层部分。金属凸块形成于开口中及凸块下金属层的第二部分上。随后，将掩模移除。进行湿蚀刻以移除晶种层，及进行干蚀刻以移除阻挡层。本发明的实施例，可显著地降低阻挡层40的底切至1μm或更小。因此，随着由底切所造成的剥离现象减少，金属凸块工艺及重分布线工艺的可靠度可具有显著地进步。