半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN106920787B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201611055735.X

    申请日:2016-11-25

    Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法,所述半导体装置包含:半导体衬底;导电垫,其位于所述半导体衬底上;及第一电介质,其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含:导电层,其放置于所述第一电介质中;及第二电介质,其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中,所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线,所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中,所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。

    半导体封装与其制造方法

    公开(公告)号:CN107644847B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN201610891674.4

    申请日:2016-10-13

    Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装,包括模封半导体器件、第一重布线路层、第二重布线路层及多个层间导通孔。模封半导体器件包括管芯。第一重布线路层设置于模封半导体器件的第一侧。第二重布线路层设置于模封半导体器件的相对第一侧的第二侧。第二重布线路层包括图案化金属层以及金属环。图案化金属层具有电性连接至管芯的连接线路部。金属环围绕连接线路部并与连接线路部分离。层间导通孔连接至金属环的一部分且位于金属环的下方。层间导通孔延伸穿过模封半导体器件,以电性连接第一重布线路层及第二重布线路层。

    装置封装件以及用于形成装置封装件的方法

    公开(公告)号:CN107068627B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201710073702.6

    申请日:2017-02-10

    Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法,其中,该装置封装件包含传感器裸片;一或多个额外裸片,其相邻于所述传感器裸片;以及模塑料,其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层,所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件,所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列,所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片,所述第二介电层是在所述第一介电层上方。

    装置封装件以及用于形成装置封装件的方法

    公开(公告)号:CN107068627A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710073702.6

    申请日:2017-02-10

    Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法,其中,该装置封装件包含传感器裸片;一或多个额外裸片,其相邻于所述传感器裸片;以及模塑料,其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层,所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件,所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列,所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片,所述第二介电层是在所述第一介电层上方。

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