公开(公告)号：CN106920787B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201611055735.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  黄育智 ,  陈玉芬 ,  潘国龙 ,  郑余任 ,  李明机 ,  普翰屏 ,  张纬森

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。

公开(公告)号：CN110970387B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910608348.1

申请日：2019-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾英诚 ,  黄育智 ,  戴志轩 ,  郭婷婷 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  刘家宏 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/08 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

Abstract: 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107026092B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201611019343.8

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄育智 ,  陈志华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  蔡豪益 ,  陈玉芬 ,  郑余任

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明实施例提供制造指纹扫描器的方法以及半导体装置。实施例包含囊封于所述指纹传感器封装内的传感器与传感器表面材料。所述传感器的电极阵列是使用贯穿通路而电连接或经由其它连接(例如线接合)而连接，所述贯穿通路位于所述传感器中、与所述传感器分离的连接块中、或穿过连接块。附接高电压裸片，以增加所述指纹传感器的灵敏性。

公开(公告)号：CN110970387A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910608348.1

申请日：2019-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾英诚 ,  黄育智 ,  戴志轩 ,  郭婷婷 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  刘家宏 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/08 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

Abstract: 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110957295A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910162856.1

申请日：2019-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  赖季晖 ,  曾英诚 ,  吴邦立 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110957229B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910912553.7

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗宪 ,  黄育智 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  赖季晖 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109524378A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201711017344.3

申请日：2017-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  陈志华 ,  蔡豪益 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  郭婷婷

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本揭露提供一种封装结构。所述封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多条重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线电性接触。

公开(公告)号：CN108666280A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710992581.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  陈志华 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498

Abstract: 一种封装结构，包含半导体装置、第一塑模化合物、通孔、第一介电层、第一重分布线，和第二塑模化合物。第一塑模化合物与半导体装置的侧壁接触。通孔位于第一塑模化合物，并电性连接到半导体装置。第一介电层在半导体装置上。第一重分布线在第一介电层中并且电性连接到半导体装置和通孔。第二塑模化合物与第一介电层的侧壁接触。

公开(公告)号：CN107768311A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201611071805.0

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑余任 ,  黄育智 ,  陈志华 ,  陈玉芬 ,  蔡豪益

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81

Abstract: 本公开的实施例提供封装结构及其形成方法，此方法包含提供第一集成电路晶粒并形成重布线结构于第一集成电路晶粒上方，形成基底层于重布线结构上方，基底层具有多个第一开口和多个第二开口，且第一开口宽于第二开口，形成多个第一凸块于重布线结构上方，第一凸块具有下部填入第一开口中。此外，此方法包含通过具有下部填入第二开口中的多个第二凸块将第二集成电路晶粒接合至重布线结构，在第二集成电路晶粒与基底层之间有一空间。此方法也包含形成模塑化合物层于基底层上方，模塑化合物层填入此空间中并围绕第一凸块和第二凸块。

公开(公告)号：CN107644847A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610891674.4

申请日：2016-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄育智 ,  陈志华 ,  林志伟 ,  蔡豪益 ,  陈玉芬 ,  郑余任 ,  戴志轩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  G06K9/00053 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包括模封半导体器件、第一重布线路层、第二重布线路层及多个层间导通孔。模封半导体器件包括管芯。第一重布线路层设置于模封半导体器件的第一侧。第二重布线路层设置于模封半导体器件的相对第一侧的第二侧。第二重布线路层包括图案化金属层以及金属环。图案化金属层具有电性连接至管芯的连接线路部。金属环围绕连接线路部并与连接线路部分离。层间导通孔连接至金属环的一部分且位于金属环的下方。层间导通孔延伸穿过模封半导体器件，以电性连接第一重布线路层及第二重布线路层。