公开(公告)号：CN109755192B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201811292332.6

申请日：2018-11-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄育智 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  蔡豪益 ,  王垂堂 ,  刘重希 ,  余振华 ,  刘家宏

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/498

摘要： 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110970387B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910608348.1

申请日：2019-07-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾英诚 ,  黄育智 ,  戴志轩 ,  郭婷婷 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  刘家宏 ,  蔡豪益

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/08 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

摘要： 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110970387A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910608348.1

申请日：2019-07-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾英诚 ,  黄育智 ,  戴志轩 ,  郭婷婷 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  刘家宏 ,  蔡豪益

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L27/08 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

摘要： 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110957295A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910162856.1

申请日：2019-03-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 戴志轩 ,  赖季晖 ,  曾英诚 ,  吴邦立 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110957295B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201910162856.1

申请日：2019-03-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 戴志轩 ,  赖季晖 ,  曾英诚 ,  吴邦立 ,  郭婷婷 ,  黄育智 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110957229A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910912553.7

申请日：2019-09-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江宗宪 ,  黄育智 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  赖季晖 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

摘要： 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109755192A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811292332.6

申请日：2018-11-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄育智 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  蔡豪益 ,  王垂堂 ,  刘重希 ,  余振华 ,  刘家宏

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/498

摘要： 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110957229B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910912553.7

申请日：2019-09-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江宗宪 ,  黄育智 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  赖季晖 ,  刘家宏 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

摘要： 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN220510023U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321398970.2

申请日：2023-06-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴邦立 ,  江宗宪 ,  黄子松 ,  黄朝先 ,  张家纶 ,  林修任 ,  曾明鸿 ,  蔡豪益

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本实用新型提供一种包括一或多个散热系统的半导体封装。所述半导体封装可包括：一或多个积体电路晶粒；包封体，环绕所述一或多个积体电路晶粒；重布线结构，位于所述一或多个积体电路晶粒以及包封体之上。重布线结构可包括一或多个散热系统，所述一或多个散热系统与重布线结构的其余部分电性隔离。每一散热系统可包括第一金属接垫、第二金属接垫以及将第一金属接垫连接至第二金属接垫的一或多个金属通孔。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN218996710U

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202223285032.X

申请日：2022-12-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江佾澈 ,  陈建勋 ,  洪端佑 ,  潘信瑜 ,  谢潍冈 ,  江宗宪 ,  黄朝先 ,  黄子松 ,  曾明鸿 ,  陈韦志 ,  吴邦立 ,  蔡豪益 ,  胡毓祥 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31

摘要： 本实用新型提供一种半导体封装，包括背侧重布线结构、前侧重布线结构、包封体以及穿孔。背侧重布线结构包括第一介电层、第二介电层、第一金属化图案以及第二金属化图案。第二介电层位于所述第一介电层上。第一金属化图案，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，其中所述第二介电层延伸穿过所述第一金属化图案以形成介电槽。第二金属化图案，其中所述第二介电层位于所述第一金属化图案与所述第二金属化图案之间。包封体位于所述背侧重布线结构与所述前侧重布线结构之间。穿孔延伸穿过所述包封体，所述穿孔与所述第二金属化图案实体耦合，其中所述介电槽在俯视图中与所述穿孔重叠。