公开(公告)号：CN112687670B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202011106428.6

申请日：2020-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张维麟 ,  王垂堂 ,  陈颉彦

IPC: H10B80/00 ,  H01L21/98 ,  H01L23/48

Abstract: 在实施例中，一种结构包括：图形处理器器件；无源器件，耦合至图形处理器器件，该无源器件直接面对面地接合至图形处理器器件；共享存储器器件，耦合至图形处理器器件，共享存储器器件直接面对面地接合至图形处理器器件；中央处理器器件，耦合至共享存储器器件，中央处理器器件直接背对背地接合至共享存储器器件，中央处理器器件和图形处理器器件的每个具有比共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及再分布结构，耦合至中央处理器器件、共享存储器器件、无源器件和图形处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN116525558A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310206280.0

申请日：2023-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  王垂堂 ,  郑文豪 ,  邵栋梁 ,  蔡仲豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00

Abstract: 一种封装件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的密封剂、嵌入密封剂中的第一集成电路管芯和第二集成电路管芯，以及位于密封剂的第一侧上的第一中介层。第一中介层机械耦接且电耦接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。封装件还包括位于密封剂的第二侧上的第二中介层。第二中介层机械耦接且电耦接至第一集成电路管芯和第二集成电路管芯。第二中介层将第一集成电路管芯光耦接或电耦接至第二集成电路管芯。本发明的实施例还提供了形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN111799228B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202010250523.7

申请日：2020-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  蔡仲豪 ,  王垂堂

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 方法包括减薄器件管芯的半导体衬底，以露出延伸至半导体衬底中的衬底通孔；以及形成第一再分布结构，形成第一再分布结构包括在半导体衬底上方形成第一多个介电层，以及在第一多个介电层中形成第一多个再分布线。第一多个再分布线电连接至衬底通孔。该方法还包括将第一存储器管芯放置在第一再分布结构上方，以及在第一再分布结构上方形成第一多个金属柱。第一多个金属柱电连接至第一多个再分布线。将第一存储器管芯密封在第一密封剂中。在第一多个金属柱和第一存储器管芯上方形成电连接至第一多个金属柱和第一存储器管芯的第二多个再分布线。本发明的实施例还涉及形成管芯堆叠件的方法及集成电路结构。

公开(公告)号：CN109524347B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201711275840.9

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  王垂堂

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/552

Abstract: 提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一孔洞和一第二孔洞于一基板的一第一表面中；形成一第一绝缘层于第一孔洞和第二孔洞中；形成一导电层于第一绝缘层之上及第一孔洞和第二孔洞中，其中导电层具有一第一凹部于第一孔洞中并填充第二孔洞；形成一第二绝缘层于导电层之上及第一凹部中，其中第二绝缘层具有一第二凹部于第一凹部中；形成一导电结构于第二凹部中；从基板的一第二表面部分地移除基板、第一绝缘层、导电层、和第二绝缘层，以暴露出导电结构及第一孔洞和第二孔洞中的导电层，其中第二表面相对于第一表面。亦提供一种半导体装置结构。

公开(公告)号：CN109755192B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201811292332.6

申请日：2018-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄育智 ,  赖季晖 ,  吴邦立 ,  曾英诚 ,  郭婷婷 ,  戴志轩 ,  蔡豪益 ,  王垂堂 ,  刘重希 ,  余振华 ,  刘家宏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107180795B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201611150397.8

申请日：2016-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张智援 ,  王垂堂 ,  谢政宪

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48

Abstract: 一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方，其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱，将电压调节器管芯密封在密封材料中，并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线，用介电材料替代管芯附接膜，在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线，并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106356338B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610006200.7

申请日：2016-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了管芯封装件及其制造方法。在实施例中，制造管芯封装件的方法可以包括：形成包封的通孔结构，包封的通孔结构包括至少一个通孔、包封至少一个通孔的聚合物层和包封聚合物层的第一模塑料；将包封的通孔结构和第一管芯堆叠件放置在载体上方，至少一个通孔具有邻近载体的第一端和远离载体的第二端；将第一管芯堆叠件和包封的通孔结构包封在第二模塑料中；以及在第二模塑料上方形成第一再分布层(RDL)，第一RDL电连接至至少一个通孔。

公开(公告)号：CN107437654A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610999342.8

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  蔡仲豪 ,  谢政宪 ,  林炜恒 ,  余国宠 ,  余振华

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q1/22

Abstract: 一种天线装置，包含封装体与至少一天线。封装体包含至少一射频晶片与压模胶材。压模胶材接触射频晶片的至少一侧壁。天线具有至少一导体。导体至少部分在压模胶材中，且导体可操作地连接射频晶片。

公开(公告)号：CN104037157B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201310226499.3

申请日：2013-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢政宪 ,  吕孟升 ,  蔡仲豪 ,  赖威志 ,  叶恩祥 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01P1/2007 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H03H7/0138 ,  H03H2001/0092 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。

公开(公告)号：CN104299952B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310464580.5

申请日：2013-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区域上方的焊料凸块。本发明还提供了在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制。