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公开(公告)号：CN112820722A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011224687.9
申请日：2020-11-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/98
摘要： 在实施例中，一种器件包括：第一管芯阵列，包括第一集成电路管芯，第一集成电路管芯的取向沿着第一管芯阵列的行和列交替；第一介电层，围绕第一集成电路管芯，第一介电层和第一集成电路管芯的表面是平坦的；第二管芯阵列，包括位于第一介电层和第一集成电路管芯上的第二集成电路管芯，第二集成电路管芯的取向沿着第二管芯阵列的行和列交替，第二集成电路管芯的前侧通过金属对金属接合和通过电介质对电介质接合而接合至第一集成电路管芯的前侧；以及第二介电层，围绕第二集成电路管芯，第二介电层和第二集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112687666A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109999.5
申请日：2020-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/98
摘要： 在一实施例中，一种集成电路封装包括：处理器晶粒，包括电路区块，电路区块包括具有第一技术节点的有源装置；电源闸控晶粒，包括具有第二技术节点的功率半导体装置，第二技术节点大于第一技术节点；以及第一重布线结构，包括第一金属化图案，第一金属化图案包括电力供应源线及电力供应接地线，其中电路区块的第一子集经由功率半导体装置电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线，且电路区块的第二子集永久地电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线。
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公开(公告)号：CN112820722B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202011224687.9
申请日：2020-11-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/98
摘要： 在实施例中，一种器件包括：第一管芯阵列，包括第一集成电路管芯，第一集成电路管芯的取向沿着第一管芯阵列的行和列交替；第一介电层，围绕第一集成电路管芯，第一介电层和第一集成电路管芯的表面是平坦的；第二管芯阵列，包括位于第一介电层和第一集成电路管芯上的第二集成电路管芯，第二集成电路管芯的取向沿着第二管芯阵列的行和列交替，第二集成电路管芯的前侧通过金属对金属接合和通过电介质对电介质接合而接合至第一集成电路管芯的前侧；以及第二介电层，围绕第二集成电路管芯，第二介电层和第二集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053802A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011552955.X
申请日：2020-12-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/48
摘要： 本文中阐述制造系统硅晶片(SoSW)器件及封装的系统、半导体器件及其形成方法。在硅晶片中形成多个功能管芯。使用不同的掩模组以在硅晶片中形成不同类型的功能管芯。在硅晶片之上形成在相同类型和/或不同类型的相邻管芯之间提供局部内连件的第一重布线结构。可在第一重布线层之上形成在相同类型和/或不同类型的非相邻管芯之间提供半全局内连件和/或全局内连件的第二重布线结构。可在硅晶片的与第一重布线层相对的第二侧之上形成可选的背侧重布线结构。可选的背侧重布线结构可在不同类型的功能管芯之间提供背侧内连件。
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公开(公告)号：CN112687670B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202011106428.6
申请日：2020-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在实施例中，一种结构包括：图形处理器器件；无源器件，耦合至图形处理器器件，该无源器件直接面对面地接合至图形处理器器件；共享存储器器件，耦合至图形处理器器件，共享存储器器件直接面对面地接合至图形处理器器件；中央处理器器件，耦合至共享存储器器件，中央处理器器件直接背对背地接合至共享存储器器件，中央处理器器件和图形处理器器件的每个具有比共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及再分布结构，耦合至中央处理器器件、共享存储器器件、无源器件和图形处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112687671B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011107459.3
申请日：2020-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在实施例中，结构包括：处理器器件，该处理器器件包括逻辑器件并且没有存储器；第一存储器器件，通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而直接面对面地接合至处理器器件；横向地围绕第一存储器器件的第一介电层；位于第一介电层和第一存储器器件上方的再分布结构，该再分布结构包括金属化图案；以及延伸穿过第一介电层的第一导电通孔，第一导电通孔将再分布结构的金属化图案连接至处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112687671A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011107459.3
申请日：2020-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在实施例中，结构包括：处理器器件，该处理器器件包括逻辑器件并且没有存储器；第一存储器器件，通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而直接面对面地接合至处理器器件；横向地围绕第一存储器器件的第一介电层；位于第一介电层和第一存储器器件上方的再分布结构，该再分布结构包括金属化图案；以及延伸穿过第一介电层的第一导电通孔，第一导电通孔将再分布结构的金属化图案连接至处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112687670A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011106428.6
申请日：2020-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在实施例中，一种结构包括：图形处理器器件；无源器件，耦合至图形处理器器件，该无源器件直接面对面地接合至图形处理器器件；共享存储器器件，耦合至图形处理器器件，共享存储器器件直接面对面地接合至图形处理器器件；中央处理器器件，耦合至共享存储器器件，中央处理器器件直接背对背地接合至共享存储器器件，中央处理器器件和图形处理器器件的每个具有比共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及再分布结构，耦合至中央处理器器件、共享存储器器件、无源器件和图形处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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