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公开(公告)号：CN111192858B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910232291.X
申请日：2019-03-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。
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公开(公告)号：CN106711140A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610723801.X
申请日：2016-08-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/585 , H01L21/563 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/02373 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06133 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2924/351 , H01L2924/35121
摘要： 示例性半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括功能电路区和通过缓冲区与功能电路区间隔开的密封环的第一部分。器件还包括在互连结构上方的钝化层和在钝化层上方并且连接密封环的第一部分的密封环的第二部分。密封环的第二部分设置在缓冲区中。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113451290A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110712544.0
申请日：2021-06-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/522
摘要： 本公开提供一种半导体封装。半导体封装包括半导体管芯、聚合物层堆叠、多个重布线元件及无源滤波器。聚合物层覆盖半导体管芯的前表面。多个重布线元件及无源滤波器设置在聚合物层堆叠中。无源滤波器包括接地平面及多个导电垫。接地平面与导电垫交叠，且多个导电垫在侧向上彼此隔开。接地平面电耦合到参考电压。多个导电垫电连接到接地平面、电浮置或者电耦合到直流(DC)电压。
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公开(公告)号：CN113035801A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011539154.X
申请日：2020-12-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L27/11585 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 描述一种存储器装置，其包含基础芯片和安装在基础芯片上且与基础芯片连接的存储器立方体。存储器立方体包含多个堆叠层，且多个堆叠层中的每一层包含由包封体横向包覆的半导体芯片和重布线结构。多个堆叠层的半导体芯片通过多个堆叠层中的重布线结构与基础芯片电连接。存储器立方体包含延伸穿过多个堆叠层且连接到基础芯片的热路径结构。热路径结构具有比包封体的导热率更大的导热率。热路径结构与多个堆叠层中的半导体芯片和基础芯片电隔离。
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公开(公告)号：CN1841714A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510125803.0
申请日：2005-11-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L23/433 , H01L24/31 , H01L2224/16225 , H01L2224/27013 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83051 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16152 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/13111 , H01L2924/0665 , H01L2224/0401
摘要： 本发明是有关于一种半导体元件封装结构，在一实施例中，封装元件包括一晶片，晶片具有主动表面及一位于相对侧的耦合表面，晶片具有一或多集成电路和凸块。元件包括热耦合于晶片耦合表面的热分散器以消散晶片的发热。一热介材料介于晶片耦合表面与热分散器之间以加速热的消散。另外，元件更包括一界限材料位于晶片耦合表面与热分散器之间并环绕热介材料以保持热介材料位于晶片耦合表面与热分散器之间。
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公开(公告)号：CN106711140B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201610723801.X
申请日：2016-08-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/50
摘要： 示例性半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括功能电路区和通过缓冲区与功能电路区间隔开的密封环的第一部分。器件还包括在互连结构上方的钝化层和在钝化层上方并且连接密封环的第一部分的密封环的第二部分。密封环的第二部分设置在缓冲区中。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111128951A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910070388.5
申请日：2019-01-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种封装结构包括第一重布线路结构、第二重布线路结构、半导体管芯、波导结构及天线。半导体管芯夹置于所述第一重布线路结构与所述第二重布线路结构之间且电耦合到所述第一重布线路结构及所述第二重布线路结构。所述波导结构位于所述半导体管芯旁边且电耦合到所述半导体管芯，其中所述波导结构包括所述第一重布线路结构的一部分、所述第二重布线路结构的一部分及多个第一穿孔，所述多个第一穿孔中的每一者连接到所述第一重布线路结构的所述一部分及所述第二重布线路结构的所述一部分。所述天线位于所述半导体管芯上，其中所述第二重布线路结构夹置于所述天线与所述半导体管芯之间，且所述天线经由所述波导结构来与所述半导体管芯电连通。
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公开(公告)号：CN106057767B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201510812563.5
申请日：2015-11-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 器件封装件包括半导体器件管芯、位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第一导线以及位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第二导线，半导体器件管芯包括顶面处的钝化层。第一导线厚于第二导线，并且第一导线和第二导线形成在相同的器件封装件层中。本发明的实施例还涉及半导体器件中的导电迹线及其形成方法。
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