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公开(公告)号：CN109309063A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710804579.0
申请日：2017-09-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/42 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/06519 , H01L2224/09519 , H01L2224/12105 , H01L2224/14519 , H01L2224/17519 , H01L2224/214 , H01L2224/30519 , H01L2224/33519 , H01L2924/18162 , H01L2924/351 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L24/05 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381
摘要： 一种半导体封装包括管芯、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上。所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔通过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。
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公开(公告)号：CN113808960A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110693215.6
申请日：2021-06-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 提供了封装结构及其形成方法。一种方法包括在插件晶圆的第一面上形成第一电连接器和第二电连接器。使用第一电连接器，将集成电路管芯接合至插件晶圆的第一面。邻近集成电路管芯，将加强件结构连接至插件晶圆的第一面。在平面图中，加强件结构覆盖第二电连接器。用第一密封剂密封集成电路管芯和加强件结构。将插件晶圆和加强件结构单个化，以形成堆叠结构。本申请的实施例提供了集成电路封装件和方法。
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公开(公告)号：CN111192858A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910232291.X
申请日：2019-03-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。
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公开(公告)号：CN115775787A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210797626.4
申请日：2022-07-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L25/18
摘要： 一种形成封装件的方法包括在载体上方形成第一金属网；在第一金属网上方形成第一介电层；以及在第一介电层上方形成第二金属网。第一金属网和第二金属网交错。该方法还包括在第二金属网上方形成第二介电层，将器件管芯附接在第二介电层上方，其中，器件管芯与第一金属网和第二金属网重叠，将器件管芯密封在密封剂中，以及在器件管芯上方形成再分布线，并且将再分布线电连接至器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件。
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公开(公告)号：CN113035801A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011539154.X
申请日：2020-12-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L27/11585 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 描述一种存储器装置，其包含基础芯片和安装在基础芯片上且与基础芯片连接的存储器立方体。存储器立方体包含多个堆叠层，且多个堆叠层中的每一层包含由包封体横向包覆的半导体芯片和重布线结构。多个堆叠层的半导体芯片通过多个堆叠层中的重布线结构与基础芯片电连接。存储器立方体包含延伸穿过多个堆叠层且连接到基础芯片的热路径结构。热路径结构具有比包封体的导热率更大的导热率。热路径结构与多个堆叠层中的半导体芯片和基础芯片电隔离。
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公开(公告)号：CN111192858B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910232291.X
申请日：2019-03-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。
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公开(公告)号：CN115497929A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210137523.5
申请日：2022-02-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/538
摘要： 本发明提供一种包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、第一绝缘包封体、介电层结构、导体结构和第二绝缘包封体的半导体封装。第一半导体晶粒包括从半导体基底的第一侧延伸到第二侧的第一半导体基底和硅穿孔(TSV)。第二半导体晶粒设置在半导体基底的第一侧。第二半导体晶粒上的第一绝缘包封体封装了第一半导体晶粒。TSV的末端与第一绝缘包封体的表面共面。介电层结构覆盖了第一半导体晶粒和第一绝缘包封体。导体结构延伸穿过介电层结构并与硅穿孔接触。第二绝缘包封体与第二半导体晶粒、第一绝缘封装和介电层结构接触。
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公开(公告)号：CN220693635U
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202322079304.9
申请日：2023-08-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H10B80/00 , H01L23/367
摘要： 本实用新型实施例提供一种半导体封装。半导体封装包括：第一管芯，设置于第一重布线结构上且与其电性耦合，并且被第一绝缘包封体在侧向上覆盖；第二管芯，设置于第一管芯之上且被第二绝缘包封体在侧向上覆盖；第二重布线结构，插入于第一与第二管芯之间且与其电性耦合；第三重布线结构，设置于第二管芯上且与第二重布线结构相对；以及散热特征，嵌入于第三重布线结构的介电层中且经由介电层而与第三重布线结构的图案化导电层电性隔离。第一管芯的衬底穿孔在实体上连接至第一或第二重布线结构。散热特征热耦合至第二管芯的后表面。
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公开(公告)号：CN219873491U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202320667408.9
申请日：2023-03-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/485
摘要： 本实用新型提供一种包括芯片堆叠结构、热增强组件及第一绝缘包封体的具有热增强性能的封装结构。热增强组件堆叠在芯片堆叠结构之上并热耦合到芯片堆叠结构，其中热增强组件的第一侧向尺寸大于芯片堆叠结构的第二侧向尺寸。第一绝缘包封体侧向地包封热增强组件及芯片堆叠结构。
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