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公开(公告)号：CN104037142A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
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公开(公告)号：CN105321911B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410770278.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/03002 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/10126 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16105 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在衬底上方的焊盘和对准部件；钝化部，设置在衬底的上方和焊盘的外围；钝化后互连件(PPI)，包括：设置在焊盘上的通孔部，以及容纳导电凸块的加长部，以将焊盘与导电凸块电连接；聚合物，覆盖PPI；以及模制材料，设置在聚合物上方，并且围绕导电凸块，其中，模制材料包括：与对准部件正交对准并且邻近半导体器件的边缘的第一部分；以及远离半导体器件的边缘的第二部分，第一部分的厚度基本小于第二部分的厚度，从而在预定辐射下，对准部件透过模制材料是可见的。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN108155178A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201710140211.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成扇出型封装，其包括绝缘包封体、射频集成电路、天线、接地导体以及重布线路结构。射频集成电路包括多个导电端子。射频集成电路、天线及接地导体嵌于绝缘包封体中，且接地导体位于射频集成电路与天线之间。重布线路结构配置于绝缘封包体上，且重布线路结构与导电端子、天线以及接地导体电性连接。
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公开(公告)号：CN103839894B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310028297.8
申请日：2013-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5385 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种方法，包括将半导体管芯附接在晶圆的第一面上，将第一顶部封装件附接在晶圆的第一面上以及将第二顶部封装件附接在晶圆的第一面上。方法进一步包括将封装层沉积在晶圆的第一面上方，其中，第一顶部封装件和第二顶部封装件嵌入到封装层中，对晶圆的第二面施加减薄工艺，将晶圆切割成多个芯片封装件以及将芯片封装件附接至衬底。本发明还提供了形成叠层封装结构的方法。
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公开(公告)号：CN106960837A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610905679.8
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/78 , H01L23/3178 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/08137 , H01L2224/08148 , H01L2224/08238 , H01L2224/16148 , H01L2224/18 , H01L2924/1434 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L25/16
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037142B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
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公开(公告)号：CN103794568B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310071559.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。
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公开(公告)号：CN103871991B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310088383.8
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1712 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K1/0284 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/40 , H05K2201/09409 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本文公开了一种用于在封装管芯中使用的具有阻拦件的中介层的方法和装置。一种中介层可以包括位于衬底上方的金属层。多个阻拦件可以围绕金属层的每个角部形成在金属层上方。可以在中介衬底的两个面上都形成阻拦件。阻拦件围绕一区域，在该区域中可以设置用于与其他封装件连接的连接件，诸如焊料球。非导电阻拦件可以形成在阻拦件上方。底部填充物可以形成在连接至连接件的封装件下方、金属层上方且包含在角部阻拦件所围绕的区域内，从而使得连接件被底部填充物保护得很好。也可以在印刷电路板上进一步形成这样的阻拦件。
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公开(公告)号：CN113035801A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011539154.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11502 , H01L27/11585 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 描述一种存储器装置，其包含基础芯片和安装在基础芯片上且与基础芯片连接的存储器立方体。存储器立方体包含多个堆叠层，且多个堆叠层中的每一层包含由包封体横向包覆的半导体芯片和重布线结构。多个堆叠层的半导体芯片通过多个堆叠层中的重布线结构与基础芯片电连接。存储器立方体包含延伸穿过多个堆叠层且连接到基础芯片的热路径结构。热路径结构具有比包封体的导热率更大的导热率。热路径结构与多个堆叠层中的半导体芯片和基础芯片电隔离。
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公开(公告)号：CN105321911A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410770278.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/03002 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/10126 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16105 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在衬底上方的焊盘和对准部件；钝化部，设置在衬底的上方和焊盘的外围；钝化后互连件(PPI)，包括：设置在焊盘上的通孔部，以及容纳导电凸块的加长部，以将焊盘与导电凸块电连接；聚合物，覆盖PPI；以及模制材料，设置在聚合物上方，并且围绕导电凸块，其中，模制材料包括：与对准部件正交对准并且邻近半导体器件的边缘的第一部分；以及远离半导体器件的边缘的第二部分，第一部分的厚度基本小于第二部分的厚度，从而在预定辐射下，对准部件透过模制材料是可见的。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
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