公开(公告)号：CN119604016A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411647145.0

申请日：2024-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡毓晋 ,  曾华伟 ,  吴伟诚 ,  江永平 ,  苏安治 ,  叶德强

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 封装件包括：第一管芯，位于封装组件的第一侧上方并且接合至封装组件的第一侧，其中，第一管芯和封装组件之间的第一接合包括第一管芯的第一接合层和封装组件上的第二接合层之间的电介质至电介质接合，并且第一管芯和封装组件之间的第二接合包括第一管芯的第一接合焊盘和封装组件上的第二接合焊盘之间的金属至金属接合；再分布结构的第一部分，与第一管芯相邻并且位于第二接合层上方；以及第二管芯，位于再分布结构的第一部分上方并且使用第一导电连接件耦合至再分布结构的第一部分，其中，第一导电连接件电连接至第二接合层中的第一导电焊盘。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108630628A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710718432.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  萧闵谦 ,  吴念芳 ,  张守仁 ,  江佾澈

IPC: H01L23/31 ,  H01Q1/22

Abstract: 本公开提供一种封装结构，所述封装结构包括：管芯；第一模塑化合物，包封所述管芯；天线结构；以及反射器图案，设置在所述管芯之上。穿透所述第一模塑化合物的穿孔设置在所述管芯周围。所述反射器图案设置在所述管芯及所述穿孔上。所述天线结构设置在所述反射器图案上且与所述反射器图案及所述管芯电连接。所述天线结构被设置在所述反射器图案上的第二模塑化合物包覆。

公开(公告)号：CN108615721A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710942240.7

申请日：2017-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  江佾澈 ,  吴念芳 ,  萧闵谦 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38

Abstract: 提供一种芯片封装的结构及其形成方法。芯片封装包括具有导电元件的半导体晶粒以及包围半导体晶粒的第一保护层。芯片封装亦包含位于半导体晶粒及第一保护层之上的第二保护层。芯片封装进一步包含位于第二保护层之上的天线元件。天线元件与半导体晶粒的导电元件电性连接。

公开(公告)号：CN105321911B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410770278.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明凯 ,  史朝文 ,  江永平

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在衬底上方的焊盘和对准部件；钝化部，设置在衬底的上方和焊盘的外围；钝化后互连件(PPI)，包括：设置在焊盘上的通孔部，以及容纳导电凸块的加长部，以将焊盘与导电凸块电连接；聚合物，覆盖PPI；以及模制材料，设置在聚合物上方，并且围绕导电凸块，其中，模制材料包括：与对准部件正交对准并且邻近半导体器件的边缘的第一部分；以及远离半导体器件的边缘的第二部分，第一部分的厚度基本小于第二部分的厚度，从而在预定辐射下，对准部件透过模制材料是可见的。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN105321891B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510274149.3

申请日：2015-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴念芳 ,  史朝文 ,  江永平 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/24 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。

公开(公告)号：CN109585410A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201711284151.4

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明凯 ,  普翰屏 ,  柯亭竹 ,  江永平 ,  黄昶文 ,  谢佑生

IPC: H01L23/498

Abstract: 本揭露提供一种封装结构。所述封装结构包括：管芯、重布线结构以及第二连接件。管芯具有第一连接件。重布线结构设置在管芯上。重布线结构包括至少一个细长通孔。所述至少一个细长通孔位于第一连接件上且与第一连接件连接。第二连接件设置在重布线结构上且与重布线结构连接。

公开(公告)号：CN105321891A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510274149.3

申请日：2015-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴念芳 ,  史朝文 ,  江永平 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/24 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。

公开(公告)号：CN107437536B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201610895679.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  万厚德 ,  谢佑生

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 揭露传感器封装件及其制造方法。一种传感器封装件包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。

公开(公告)号：CN105321911A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410770278.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明凯 ,  史朝文 ,  江永平

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在衬底上方的焊盘和对准部件；钝化部，设置在衬底的上方和焊盘的外围；钝化后互连件(PPI)，包括：设置在焊盘上的通孔部，以及容纳导电凸块的加长部，以将焊盘与导电凸块电连接；聚合物，覆盖PPI；以及模制材料，设置在聚合物上方，并且围绕导电凸块，其中，模制材料包括：与对准部件正交对准并且邻近半导体器件的边缘的第一部分；以及远离半导体器件的边缘的第二部分，第一部分的厚度基本小于第二部分的厚度，从而在预定辐射下，对准部件透过模制材料是可见的。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN107437536A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610895679.4

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江永平 ,  史朝文 ,  张守仁 ,  万厚德 ,  谢佑生

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L24/14 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/04 ,  H01Q21/065 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381

Abstract: 揭露传感器封装件及其制造方法。一种传感器封装件包括半导体晶粒以及重布线层结构。所述半导体晶粒具有感测表面。所述重布线层结构经配置以形成天线发送器结构以及天线接收器结构，所述天线发送器结构位于所述半导体晶粒侧边，且所述天线接收器结构位于所述半导体晶粒的所述感测表面上方。