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公开(公告)号：CN105321891A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510274149.3
申请日：2015-05-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/13 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3142 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05672 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/181 , H01L2924/186 , H01L2924/3512 , H01L2224/11 , H01L2224/03
摘要： 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。
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公开(公告)号：CN101615598B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910150011.7
申请日：2009-06-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体芯片，包括：半导体衬底；在半导体衬底上方的多个低k电介质层；在所述多个低k电介质层上方的第一钝化层；和在所述第一钝化层上方的第二钝化层。第一密封环与该半导体芯片的边缘相邻，其中该第一密封环具有与第一钝化层的底表面基本上平齐的上表面。第二密封环与该第一密封环相邻并且相比第一密封环位于半导体芯片的内侧上。该第二密封环包括在该第一钝化层和该第二钝化层中的焊盘环。沟槽环包括直接形成在第一密封环上方的至少一部分。该沟槽环从该第二钝化层的顶表面向下延伸至至少该第一钝化层和该第二钝化层之间的界面。
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公开(公告)号：CN100547769C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710136892.8
申请日：2007-07-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/482 , H01L23/544
CPC分类号： H01L23/585 , H01L22/34 , H01L24/11 , H01L2224/0554 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明公开一种半导体结构，包括与半导体芯片的边缘相邻的串状链。上述串状链包括：多个水平金属线，分布于多个金属化层中，其中上述水平金属线为串联的状态；多个连接垫，位于同一层中，上述连接垫电性连接上述水平金属线，其中上述连接垫在结构上互相隔离；多个垂直导线，每一个垂直导线将上述连接垫的其中之一连接至上述水平金属线的其中之一，其中上述连接垫的其中之一与上述水平金属线的其中之一是经由上述垂直导线的仅仅其中之一来连接的；以及密封环，与上述串状链相邻，且不与上述串状链电性连接。本发明能够可靠地判断切割工艺之后的芯片品质。
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公开(公告)号：CN101286498A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710142786.0
申请日：2007-08-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体结构及半导体晶圆，上述半导体芯片包括：第一半导体芯片；切割道，邻接于该第一半导体芯片；导电图案，位于该切割道上，且露出于该切割道的表面，其中该导电图案具有面对该第一半导体芯片的第一边缘；切口路径，位于该切割道之中；以及第一切痕，位于该导电图案之中，其中该第一切痕由该第一边缘延伸至该切口路径。本发明的优点之一为能够减少工艺控制监视垫残留物并降低短路的可能性。
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公开(公告)号：CN117650063A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311674385.5
申请日：2020-03-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
摘要： 在实施例中，集成电路器件包括：底部集成电路管芯，具有第一前侧和第一背侧；顶部集成电路管芯，具有第二前侧和第二背侧，该第二背侧接合至第一前侧，该顶部集成电路管芯没有衬底通孔(TSV)；围绕顶部集成电路管芯的介电层，该介电层设置在第一前侧上，该介电层和底部集成电路管芯横向共末端；以及通孔，延伸穿过介电层，该通孔电耦接至底部集成电路管芯，通孔、介电层和顶部集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN103855126B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201310069494.4
申请日：2013-03-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/02
摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设置的材料层中形成该保护环。
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公开(公告)号：CN101174607B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710087826.6
申请日：2007-03-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 为解决现有技术的熔丝结构的体积较大或熔丝截断失败率较高等问题，本发明提供了一种熔丝结构，包括：第一金属垫与第二金属垫，设置于第一介电层的不同部上，该第一金属垫与该第二金属垫于该第一介电层内定义出位于其间的内部区；以及导线，设置位于该第一介电层下方的第二介电层内，以电连接该第一金属垫与该第二金属垫，其中该导线来回延伸于位于该内部区下方的第二介电层内并至少回转两次。本发明还提供了一种包括上述熔丝结构的集成电路装置。本发明的熔丝结构易于实施，无须额外的其他工艺，并且可随着集成电路装置中所形成元件尺寸缩减趋势而进一步缩减。
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公开(公告)号：CN101615598A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150011.7
申请日：2009-06-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L21/78 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体芯片，包括：半导体衬底；在半导体衬底上方的多个低k电介质层；在所述多个低k电介质层上方的第一钝化层；和在所述第一钝化层上方的第二钝化层。第一密封环与该半导体芯片的边缘相邻，其中该第一密封环具有与第一钝化层的底表面基本上平齐的上表面。第二密封环与该第一密封环相邻并且相比第一密封环位于半导体芯片的内侧上。该第二密封环包括在该第一钝化层和该第二钝化层中的焊盘环。沟槽环包括直接形成在第一密封环上方的至少一部分。该沟槽环从该第二钝化层的顶表面向下延伸至至少该第一钝化层和该第二钝化层之间的界面。
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公开(公告)号：CN103855126A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310069494.4
申请日：2013-03-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/02
摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设置的材料层中形成该保护环。
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公开(公告)号：CN101286498B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710142786.0
申请日：2007-08-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体结构及半导体晶圆，上述半导体芯片包括：第一半导体芯片；切割道，邻接于该第一半导体芯片；导电图案，位于该切割道上，且露出于该切割道的表面，其中该导电图案具有面对该第一半导体芯片的第一边缘；切口路径，位于该切割道之中；以及第一切痕，位于该导电图案之中，其中该第一切痕由该第一边缘延伸至该切口路径。本发明的优点之一为能够减少工艺控制监视垫残留物并降低短路的可能性。
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