发明授权
- 专利标题: 集成电路装置以及熔丝结构
- 专利标题(英): Fuse structures and integrated circuit devices
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申请号: CN200710087826.6申请日: 2007-03-19
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公开(公告)号: CN101174607B公开(公告)日: 2010-10-06
- 发明人: 郑心圃 , 吴念芳
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市
- 代理机构: 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 陈晨
- 优先权: 11/592,216 2006.11.03 US
- 主分类号: H01L23/522
- IPC分类号: H01L23/522 ; H01L23/525
摘要:
为解决现有技术的熔丝结构的体积较大或熔丝截断失败率较高等问题,本发明提供了一种熔丝结构,包括:第一金属垫与第二金属垫,设置于第一介电层的不同部上,该第一金属垫与该第二金属垫于该第一介电层内定义出位于其间的内部区;以及导线,设置位于该第一介电层下方的第二介电层内,以电连接该第一金属垫与该第二金属垫,其中该导线来回延伸于位于该内部区下方的第二介电层内并至少回转两次。本发明还提供了一种包括上述熔丝结构的集成电路装置。本发明的熔丝结构易于实施,无须额外的其他工艺,并且可随着集成电路装置中所形成元件尺寸缩减趋势而进一步缩减。
公开/授权文献
- CN101174607A 集成电路装置以及熔丝结构 公开/授权日:2008-05-07
IPC分类: