Invention Publication
CN106960837A 半导体器件及其制造方法
无效 - 撤回
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and manufacturing method thereof
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Application No.: CN201610905679.8Application Date: 2016-10-18
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Publication No.: CN106960837APublication Date: 2017-07-18
- Inventor: 王垂堂 , 陈颉彦 , 汤子君 , 余振华 , 杨青峰 , 刘明凯 , 王彦评 , 吴凯强 , 张守仁 , 林韦廷 , 吕俊麟
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- Agent 章社杲; 李伟
- Priority: 14/886,996 20151019 US
- Main IPC: H01L23/552
- IPC: H01L23/552 ; H01L23/31 ; H01L25/16 ; H01L21/98

Abstract:
本发明实施例提供了一种半导体器件,包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩,其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。
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