-
公开(公告)号：CN104882416B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410647116.4
申请日：2014-11-13
申请人： 钰桥半导体股份有限公司
CPC分类号： H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/15793 , H01L2924/16153 , H01L2924/16172 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/1676 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本发明是关于一种具有堆叠式封装能力的半导体封装件制作方法。根据本发明的一优选实施方面，其包括下列步骤：将一芯片‑中介层堆叠次组体贴附至一含金属载体，并使该芯片插入该含金属载体的一凹穴中；移除该含金属载体的选定部分以定义出一用于该芯片的散热座。该散热座可提供该芯片的散热、电磁屏蔽、以及湿气阻障，而该中介层提供该芯片的初级扇出路由以及一热膨胀系数匹配的介面。
-
公开(公告)号：CN107039369A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710307289.5
申请日：2015-01-23
申请人： 三星半导体(中国)研究开发有限公司 , 三星电子株式会社
发明人： 杜茂华
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/10 , H01L23/498 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/50 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554 , H01L24/16 , H01L24/48
摘要： 提供了一种封装、包括该封装的封装堆叠结构及该封装和封装堆叠结构的制造方法。该封装包括：基板，具有第一表面和背对第一表面的第二表面，并包括设置在第一表面上并且彼此分开的第一焊盘和第二焊盘；芯片，安装在基板的第一表面上并电连接到第一焊盘；凸点，设置在第二焊盘上，包括接触第二焊盘的第一端和与第一端相反的第二端；以及包封构件，包封芯片的至少一部分和凸点的至少一部分，并且暴露凸点的第二端。
-
公开(公告)号：CN103515362B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210384449.3
申请日：2012-10-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15323 , H01L2924/15331 , H01L2924/15333 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/3651
摘要： 公开了堆叠式封装(PoP)器件和封装半导体管芯的方法。在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和连接到第一封装管芯的第二封装管芯。金属柱连接到第一封装管芯。金属柱具有接近第一封装管芯的第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。每一个金属柱连接到接近第二封装管芯的焊接接点。
-
公开(公告)号：CN104037142A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310224396.3
申请日：2013-06-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/10165 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。
-
公开(公告)号：CN102474036A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036921.3
申请日：2010-01-07
申请人： 索尼爱立信移动通讯有限公司
发明人： 伦道夫·卡里·德米恩克 , D·R·斯托瑞 , W·马克恩维茨
IPC分类号： H01R13/514
CPC分类号： H05K7/023 , H01L23/32 , H01L23/552 , H01L25/105 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H05K7/1023 , H01L2924/00
摘要： 一种插座系统包括一组垂直可堆叠插座。第一插座安装在印刷电路板上以容纳第一芯片模块，并且第二插座堆叠在所述第一插座上以容纳第二芯片模块。所述第一插座包括：第一组的嵌入的接触部，以将所述第一芯片模块电连接到所述印刷电路板；和第二组的嵌入的接触部，以将所述第二插座电连接到所述印刷电路板。所述第二插座包括第三组的嵌入的接触部，以将所述第二芯片模块电连接到所述印刷电路板。通过替换所述芯片模块能够实现系统升级。
-
公开(公告)号：CN1198839A
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN97191078.2
申请日：1997-07-10
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： H01L21/568 , B29C43/18 , B29C2043/3444 , B29C2043/3628 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/6835 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49572 , H01L23/4985 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L29/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/0556 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/274 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/50 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83191 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06582 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1005 , H01L2225/1064 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15173 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 具备下述工序:树脂密封工序,用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内,接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12,形成树脂层13;突出电极露出工序,用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来;分离工序,用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
-
公开(公告)号：CN107154388A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710117489.4
申请日：2017-03-01
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/08146 , H01L2224/08225 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/481
摘要： 提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；互连基底，在基底上与半导体芯片分隔开并包括位于其中的导电构件；焊球，位于互连基底上并电连接到导电构件；聚合物层，位于互连基底和半导体芯片上，并且包括通过其暴露焊球的开口；以及聚合物颗粒，位于焊球中，并且包括与聚合物层相同的材料。
-
公开(公告)号：CN104253105B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410295181.5
申请日：2014-06-27
申请人： 新科金朋有限公司
发明人： 林耀剑
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/03
摘要： 本发明涉及半导体器件和形成低廓形3D扇出封装的方法。一种半导体器件包括具有绝缘层和嵌入到绝缘层中的传导层的衬底。对传导层图案化以便形成传导垫或传导柱。衬底包括跨传导层形成的第一密封剂。第一开口使用压印工艺或者激光直接消融通过绝缘层和第一密封剂形成。将衬底分离成单独的单元，将这些单元安装到载体。将半导体管芯设置在衬底中的第一开口内。跨半导体管芯和衬底沉积第二密封剂。跨半导体管芯和衬底形成互连结构。通过第二密封剂且通过绝缘层形成开口以便暴露传导层。跨半导体管芯足迹外部的传导层在第二开口中形成凸块。
-
公开(公告)号：CN105261595A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510195029.4
申请日：2015-04-22
申请人： 美国博通公司
发明人： 罗立德 , 雷佐尔·拉赫曼·卡恩 , 胡坤忠
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/535 , H01L25/00 , H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/85399 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06558 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要： 本文提供了一种用于半导体封装件的重构技术。一种重构技术被用于将多个半导体封装件封装为单个多芯片模块。耦接至每个封装件的焊球在重构之后可以部分暴露，该暴露使封装件能够耦接至另一设备。另一重构技术被用于使用一种或多种自对准特征将多个半导体封装件耦接成层叠封装件模块。一种或多种自对准特征是包括在层叠封装件模块的底部封装件中的一个或多个暴露的焊球。一个或多个暴露的焊球用作通过封装材料封装的其他焊球的参照系。在确定这些其他焊球的位置之后，可以在封装材料中对应于另一焊球的位置处形成穿塑孔。然后可以使用这些焊球将层叠封装件模块的顶部封装件耦接至底部封装件。
-
公开(公告)号：CN104253105A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410295181.5
申请日：2014-06-27
申请人： 新科金朋有限公司
发明人： 林耀剑
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/03
摘要： 本发明涉及半导体器件和形成低廓形3D扇出封装的方法。一种半导体器件包括具有绝缘层和嵌入到绝缘层中的传导层的衬底。对传导层图案化以便形成传导垫或传导柱。衬底包括跨传导层形成的第一密封剂。第一开口使用压印工艺或者激光直接消融通过绝缘层和第一密封剂形成。将衬底分离成单独的单元，将这些单元安装到载体。将半导体管芯设置在衬底中的第一开口内。跨半导体管芯和衬底沉积第二密封剂。跨半导体管芯和衬底形成互连结构。通过第二密封剂且通过绝缘层形成开口以便暴露传导层。跨半导体管芯足迹外部的传导层在第二开口中形成凸块。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
41 条记录 (耗时 0.022 秒)
