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公开(公告)号：CN102543763B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110421727.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 甲骨文美国公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/50 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27849 , H01L2224/29109 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83014 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83211 , H01L2224/83815 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16171 , H01L2924/16251 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032
Abstract: 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。
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公开(公告)号：CN105321908A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510468297.9
申请日：2015-08-03
Applicant: 株式会社索思未来
CPC classification number: H01L23/053 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1631 , H01L2924/16315 , H01L2924/1659 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：衬底；半导体元件，设置在所述衬底上；多个电极，彼此分开地设置在所述衬底上并且在平面图中布置为围绕所述半导体元件；盖，覆盖所述半导体元件，所述盖包括内部和周边部，所述周边部在平面图中比所述内部更靠外，所述盖包括多个第一突出构件，所述多个第一突出构件彼此分开地设置，所述多个第一构件设置在所述内部中；以及多个导电构件，设置在所述多个电极和设置在分别与所述多个电极相对的位置处的多个突出构件之间，所述导电构件结合至所述多个电极和多个突出构件。采用本公开的技术方案，能够防止发生导电构件的分离和破裂。
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公开(公告)号：CN104779233A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410627580.7
申请日：2014-11-07
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/3675 , H01L23/42 , H01L23/4275 , H01L23/433 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2224/16235 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/167 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种薄化集成电路装置与其制作流程。依据所公开的制作流程，在基板形成硅穿孔，硅穿孔的第一端曝露于基板的第一表面。并于基板的第一表面配置凸块，使凸块与硅穿孔电连接。并于凸块上配置集成电路芯片，集成电路芯片具有第一侧与第二侧，集成电路芯片的第一侧连接于凸块。并将热介质层配置于集成电路芯片的第二侧。通过热介质层将导热盖的下表面附着于集成电路芯片。并且，以导热盖作为载体，通过固定导热盖来固定集成电路芯片与基板，以研磨基板相对于第一表面的第二表面，使硅穿孔的第二端暴露于第二表面。
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公开(公告)号：CN104882416A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410647116.4
申请日：2014-11-13
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/15793 , H01L2924/16153 , H01L2924/16172 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/1676 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是关于一种具有堆叠式封装能力的半导体封装件制作方法。根据本发明的一优选实施方面，其包括下列步骤：将一芯片-中介层堆叠次组体贴附至一含金属载体，并使该芯片插入该含金属载体的一凹穴中；移除该含金属载体的选定部分以定义出一用于该芯片的散热座。该散热座可提供该芯片的散热、电磁屏蔽、以及湿气阻障，而该中介层提供该芯片的初级扇出路由以及一热膨胀系数匹配的介面。
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公开(公告)号：CN103928412A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410017774.5
申请日：2014-01-15
Applicant: 富士通半导体股份有限公司
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/42 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05575 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/16225 , H01L2224/27334 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/29191 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81075 , H01L2224/81815 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83447 , H01L2224/83487 , H01L2224/83815 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2924/01322 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/00
Abstract: 本申请提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法，该方法包括：在布线基板上安装第一元件；利用设置在第一散热器和所述第一元件之间的金属材料将所述第一散热器置于所述第一元件上；通过加热并熔化所述金属材料而经由所述金属材料将所述第一散热器附接至所述第一元件；以及在将所述第一散热器附接至所述第一元件的步骤之后，将第二元件安装在所述布线基板上。利用本发明，即使不同类型元件被安装在同一基板上，也能够避免降低半导体装置的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104779233B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410627580.7
申请日：2014-11-07
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/3675 , H01L23/42 , H01L23/4275 , H01L23/433 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2224/16235 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/167 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种薄化集成电路装置与其制作流程。依据所公开的制作流程，在基板形成硅穿孔，硅穿孔的第一端曝露于基板的第一表面。并于基板的第一表面配置凸块，使凸块与硅穿孔电连接。并于凸块上配置集成电路芯片，集成电路芯片具有第一侧与第二侧，集成电路芯片的第一侧连接于凸块。并将热介质层配置于集成电路芯片的第二侧。通过热介质层将导热盖的下表面附着于集成电路芯片。并且，以导热盖作为载体，通过固定导热盖来固定集成电路芯片与基板，以研磨基板相对于第一表面的第二表面，使硅穿孔的第二端暴露于第二表面。
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公开(公告)号：CN104882416B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410647116.4
申请日：2014-11-13
Applicant: 钰桥半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/15793 , H01L2924/16153 , H01L2924/16172 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/1676 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是关于一种具有堆叠式封装能力的半导体封装件制作方法。根据本发明的一优选实施方面，其包括下列步骤：将一芯片‑中介层堆叠次组体贴附至一含金属载体，并使该芯片插入该含金属载体的一凹穴中；移除该含金属载体的选定部分以定义出一用于该芯片的散热座。该散热座可提供该芯片的散热、电磁屏蔽、以及湿气阻障，而该中介层提供该芯片的初级扇出路由以及一热膨胀系数匹配的介面。
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公开(公告)号：CN102543763A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110421727.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 甲骨文美国公司
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/50 , H01L23/42 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/27849 , H01L2224/29109 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83014 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83211 , H01L2224/83815 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16171 , H01L2924/16251 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032
Abstract: 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。
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公开(公告)号：CN105321908B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510468297.9
申请日：2015-08-03
Applicant: 株式会社索思未来
CPC classification number: H01L23/053 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/16153 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1631 , H01L2924/16315 , H01L2924/1659 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：衬底；半导体元件，设置在所述衬底上；多个电极，彼此分开地设置在所述衬底上并且在平面图中布置为围绕所述半导体元件；盖，覆盖所述半导体元件，所述盖包括内部和周边部，所述周边部在平面图中比所述内部更靠外，所述盖包括多个第一突出构件，所述多个第一突出构件彼此分开地设置，所述多个第一构件设置在所述内部中；以及多个导电构件，设置在所述多个电极和设置在分别与所述多个电极相对的位置处的多个突出构件之间，所述导电构件结合至所述多个电极和多个突出构件。采用本公开的技术方案，能够防止发生导电构件的分离和破裂。
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公开(公告)号：CN103117254B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210130267.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 高木一考
IPC: H01L23/10
CPC classification number: H01L23/047 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L29/812 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2223/6644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13051 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/16195 , H01L2924/16747 , H01L2924/173 , H01L2924/177 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的实施例提供一种气密性高、并且可以无损于耐电力而将特性阻抗保持得较高的封装。根据实施例，封装具备：导体底板；配置在导体底板上的设有贯穿孔的金属壁；配置在贯穿孔中的馈通部。馈通部具备：配置在导体底板上的馈通下层部；配置在馈通下层部上的布线图形；在馈通下层部上的一部分以及布线图形上的一部分配置的馈通上层部；配置在布线图形上的端子。此外，馈通下层部的一部分比贯穿孔大，馈通下层部与金属壁的侧面密接，馈通上层部比贯穿孔大，馈通上层部与金属壁的侧面密接，在布线图形和贯穿孔的内壁之间设有间隙。
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