公开(公告)号：CN102543763A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110421727.3

申请日：2011-12-16

Applicant: 甲骨文美国公司

Inventor： S·安基莱蒂 ,  V·盖克廷 ,  J·A·琼斯 ,  M·B·斯特恩

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/50 ,  H01L23/42 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27849 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16171 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032

Abstract: 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。

公开(公告)号：CN102543763B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110421727.3

申请日：2011-12-16

Applicant: 甲骨文美国公司

Inventor： S·安基莱蒂 ,  V·盖克廷 ,  J·A·琼斯 ,  M·B·斯特恩

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L21/50 ,  H01L23/42 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27849 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16171 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032

Abstract: 公开了高功率密度芯片的金属热接合，给出了一种装配半导体封装的方法，包括通过反向溅射来清洁芯片的表面和排热器件的表面。该方法包括在目标接合区域上，顺序地涂敷芯片的表面和排热器件的表面以粘合剂层、阻挡层和保护层。芯片和排热器件被放入夹具内并预加热到目标温度。然后，金属热界面材料预制件被机械地碾压到芯片的表面上，并且第一和第二承载夹具被附接到一起，使得通过无焊剂工艺把芯片表面上的金属热界面材料层与排热器件的被涂敷表面接合。该方法包括在回流炉中加热被接合的承载夹具。