公开(公告)号：CN107546215A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201611017299.7

申请日：2016-11-09

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/13 ,  H01L23/18 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

摘要： 本公开提供一种半导体封装的中介物、其半导体封装及其半导体封装的制备方法。该中介物包含一基板部以及位于该基板部上的一壁部。该基板部具有第一侧、第二侧、以及位于该第一侧与该第二侧之间的电互连结构。贯穿硅插塞(through silicon via，TSV)的制造成本非常昂贵，本公开的基板部实质上无导电贯穿插塞；因此，本公开的中介物的制造成本可大幅降低。此外，该壁部位于该第一侧并且定义一开口，其局部暴露该电互连结构。如此，本公开制备半导体封装时至少一半导体晶粒可接合至该中介物并且位于该开口内部；如此，本公开的半导体封装的高度低于将半导体晶粒配置于该中介物的顶部的半导体封装。

公开(公告)号：CN106887415A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611149084.0

申请日：2016-12-14

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： A·普拉扎卡莫 ,  周志雄 ,  姚玉双

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/08 ,  H01L23/18 ,  H01L23/296 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/52 ,  H01L23/5384

摘要： 本发明提供了半导体封装的实施方式，所述实施方式可包括：衬底、耦接至所述衬底的壳体、以及多个压接插针。所述多个压接插针可与所述壳体固定地耦接。所述多个压接插针可具有至少一个锁定部分，所述锁定部分从所述多个压接插针的一侧延伸进入所述壳体中，并且所述多个压接插针可电耦接和机械耦接至所述衬底。

公开(公告)号：CN106783758A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201610624150.9

申请日：2016-08-02

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  叶晓岚 ,  林佳升 ,  张义民 ,  李柏汉 ,  吴晖贤 ,  吴俊良 ,  张恕铭 ,  黄玉龙 ,  林建名

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L27/14698 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67132 ,  H01L23/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、粘胶层与支撑件。晶片具有感测区、相对的第一表面与第二表面。感测区位于第一表面上。粘胶层覆盖晶片的第一表面。支撑件位于粘胶层上且围绕感测区。支撑件的厚度介于20μm至750μm，且支撑件围绕感测区的壁面为粗糙面。本发明不仅可避免因支撑件过厚而造成感测区在感测时产生眩光，还不易产生翘曲，且使得晶片的感测区不易于制程中受到污染，进而提升产品良率。

公开(公告)号：CN105914152A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201510555756.7

申请日：2015-09-02

申请人： 株式会社东芝

发明人： 桑原芳光

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/02 ,  H01L23/051 ,  H01L23/08 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/562 ,  H01L23/62 ,  H01L24/72 ,  H01L25/072 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L24/26

摘要： 本发明的实施方式提供一种能提高可靠性的压接型半导体装置及半导体模块。实施方式的半导体装置包括：壳体，具有脆弱部；多个半导体元件，配置在壳体的内侧，且于第一面具有第一电极，在与第一面相反侧的第二面具有第二电极；第一电极块，设置在第一面侧，且与第一电极电连接；以及第二电极块，设置在第二面侧，且与第二电极电连接；且壳体、第一电极块及第二电极块构成封闭空间，脆弱部与封闭空间对向。

公开(公告)号：CN103620773B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030798.3

申请日：2012-04-19

申请人： 泰塞拉公司

发明人： 贝尔加桑·哈巴 ,  韦勒·佐尼 ,  理查德·德威特·克里斯普 ,  伊利亚斯·穆罕默德

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 一种微电子组件100可以包括具有第一表面104和第二表面106，以及在第一表面和第二表面之间延伸的第一开口116和第二开口126的衬底102，第一开口具有在第一横切方向上延伸的长尺寸，第二开口具有在第二横切方向上延伸的较长尺寸。微电子组件100还可具有分别具有在其前表面140、157的中心区域中且分别与第一开口116和第二开口126对齐的键合焊盘142、159的第一微电子元件136和第二微电子元件153。第一微电子元件136的前表面140可以面对第一表面104，第二微电子元件153的前表面157可以面对第一微电子元件的后表面138并可突出于第一微电子元件的边缘146之外。第一微电子元件136的键合焊盘142和第二微电子元件153的键合焊盘159可以电连接至衬底102的导电元件109、111。

公开(公告)号：CN102867816A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210235278.8

申请日：2012-07-06

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 库尔特-格奥尔格·贝森德费尔 ,  娜蒂娅·埃德纳 ,  于尔根·斯蒂格

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/18 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01068

摘要： 本发明涉及一种具有冷却装置的功率电子系统以及制造方法，该功率电子系统具有多个第一面式绝缘材料体、多个第一印制导线、至少一个功率半导体器件、至少一个内部连接装置和外部接线件。绝缘材料体在此材料锁合地或力锁合地并且彼此相距地利用其第一主面布置在冷却装置上。至少一个第一印制导线将两个第一绝缘材料体在其第二主面上至少部分地覆盖，并且在此利用至少一个连接段覆盖第一绝缘材料体之间的间隙。

公开(公告)号：CN102097396A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010569687.2

申请日：2010-10-08

申请人： 宇芯先进技术有限公司

发明人： 刘颂初 ,  林美妮 ,  司徒赛玉 ,  梁伟南

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  C08L79/08 ,  C08L45/00 ,  C08L79/04

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种防护装置部件的应力缓冲，特别是旨在设置于邻接半导体衬底的面的应力缓冲结构。该应力缓冲结构包括形成在半导体衬底的面上的至少一个聚合物层以及设置在聚合物层上方的多个金属板，其中所述金属板与半导体衬底的连接垫在物理上和电学上隔离。所公开的应力缓冲结构为对应力敏感的半导体零件提供防护。还公开了具有所公开的应力缓冲结构的半导体封装以及制备半导体封装的方法。

公开(公告)号：CN104596551B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410535021.3

申请日：2014-10-11

申请人： 西门子公司

发明人： F.迪若夫 ,  V.施密特

IPC分类号： G01D5/12 ,  G01D5/26

CPC分类号： A61B6/102 ,  A61B6/4405 ,  A61B6/4441 ,  A61B6/547 ,  G01D21/02 ,  G05B19/4061 ,  H01L23/18 ,  H01L23/585 ,  H01L23/64 ,  H01L29/84 ,  H01L41/125

摘要： 本发明涉及一种用于医疗技术设备(3)的碰撞传感器装置(1、1’)，该碰撞传感器装置在多层的平面层结构中包括：具有两个通过距离保持层(6)分开的传感器(4’、5’)的传感器结构，至少一个连接在传感器(4’、5’)上的用于提供超程的皱褶层(7)，和在碰撞传感器装置(1、1’)的安装状态中在背离医疗技术设备(3)的侧上提供的外部表面层(8)。

公开(公告)号：CN105938822A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610119919.1

申请日：2016-03-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.格拉斯曼 ,  刘仁弼

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L21/4882 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/54 ,  H01L21/565 ,  H01L23/08 ,  H01L23/18 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/44 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/373

摘要： 本发明公开了一种用于半导体模块的塑料冷却器。冷却设备包括多个分立模块和塑料外壳。每一个模块包括由模塑化合物包封的半导体管芯、电连接至半导体管芯且突出在模塑化合物外的多个引线、以及至少部分地不由模塑化合物覆盖的第一冷却板。塑料外壳包围每一个模块的外围以形成多管芯模块。所述塑料外壳包括：第一单个塑料部分，其接收所述模块；以及第二单个塑料部分，附着到第一塑料部分的外围。第二塑料部分具有暴露第一冷却板的切口和包含密封材料的密封结构，所述密封材料在具有所述第一冷却板的模块的侧面处在每一个模块的外围周围形成水密密封。

公开(公告)号：CN105830204A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201380081727.0

申请日：2013-12-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 川口安人

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/298 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明缓和功率半导体芯片表面的电场强度，实现制造工序内缺陷的减少、以及可靠性的提高。本发明具有配置在绝缘基板(2)之上的功率半导体芯片(4)，本发明还具有：配线(5)，其与功率半导体芯片的元件区域(4A)处的表面导体图案连接；低介电常数膜(8)，其配置在配线与周边区域(4B)之间；以及封装材料(6)，其是覆盖绝缘基板、功率半导体芯片、配线以及低介电常数膜而形成的，低介电常数膜具有比封装材料低的介电常数。