公开(公告)号：CN105374778B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510478819.3

申请日：2015-08-07

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林建名

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00682 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、第一绝缘层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，且具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片间，且具有第一开口暴露出导电垫。第一绝缘层配置于中介片的下表面，且部分第一绝缘层配置于第一开口内覆盖高分子粘着支撑层。重布局线路配置于穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路且具有第二开口暴露出沟槽。本发明容易有效控制并确保半导体晶片与中介片的连接。

公开(公告)号：CN106206460A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510381462.7

申请日：2015-07-02

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林建名 ,  黄郁庭 ,  傅振宁 ,  何彦仕

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/0197 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，中介片具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片之间。重布局线路配置于中介片上方以及穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路，封装层具有开口暴露出沟槽。本发明更容易有效控制并确保半导体晶片与中介片两者的连接，且可有效减低晶片封装体内部的电子元件被高温影响的疑虑。

公开(公告)号：CN106129026B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610268753.X

申请日：2016-04-27

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈语同 ,  林建名 ,  许传进 ,  何志伟 ,  何彦仕

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0557

Abstract: 一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。

公开(公告)号：CN105374778A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510478819.3

申请日：2015-08-07

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林建名

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00682 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、第一绝缘层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，且具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片间，且具有第一开口暴露出导电垫。第一绝缘层配置于中介片的下表面，且部分第一绝缘层配置于第一开口内覆盖高分子粘着支撑层。重布局线路配置于穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路且具有第二开口暴露出沟槽。本发明容易有效控制并确保半导体晶片与中介片的连接。

公开(公告)号：CN106206460B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201510381462.7

申请日：2015-07-02

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林建名 ,  黄郁庭 ,  傅振宁 ,  何彦仕

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，中介片具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片之间。重布局线路配置于中介片上方以及穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路，封装层具有开口暴露出沟槽。本发明更容易有效控制并确保半导体晶片与中介片两者的连接，且可有效减低晶片封装体内部的电子元件被高温影响的疑虑。

公开(公告)号：CN106783758A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201610624150.9

申请日：2016-08-02

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  叶晓岚 ,  林佳升 ,  张义民 ,  李柏汉 ,  吴晖贤 ,  吴俊良 ,  张恕铭 ,  黄玉龙 ,  林建名

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67132 ,  H01L23/18 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、粘胶层与支撑件。晶片具有感测区、相对的第一表面与第二表面。感测区位于第一表面上。粘胶层覆盖晶片的第一表面。支撑件位于粘胶层上且围绕感测区。支撑件的厚度介于20μm至750μm，且支撑件围绕感测区的壁面为粗糙面。本发明不仅可避免因支撑件过厚而造成感测区在感测时产生眩光，还不易产生翘曲，且使得晶片的感测区不易于制程中受到污染，进而提升产品良率。

公开(公告)号：CN106129026A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610268753.X

申请日：2016-04-27

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈语同 ,  林建名 ,  许传进 ,  何志伟 ,  何彦仕

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0557 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31 ,  H01L2224/491

Abstract: 一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。