公开(公告)号：CN101894814A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010136548.0

申请日：2010-02-23

申请人： 宇芯先进技术有限公司

发明人： 刘颂初 ,  程子玶

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及焊料凸块UBM结构。公开了一种包括形成在芯片接合垫上的多个金属或金属合金层的凸块下金属化结构。因为基于铜的层的厚度被降低到大约0.3微米和10微米之间，优选在大约0.3微米和2微米之间，因此所公开的UBM结构具有对半导体器件上的应力改善。纯锡层的存在防止了基于镍的层的氧化和污染。也为随后的工艺形成了良好的可焊接表面。还公开了具有所公开的UBM结构的半导体器件及制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101894814B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201010136548.0

申请日：2010-02-23

申请人： 宇芯先进技术有限公司

发明人： 刘颂初 ,  程子玶

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及焊料凸块UBM结构。公开了一种包括形成在芯片接合垫上的多个金属或金属合金层的凸块下金属化结构。因为基于铜的层的厚度被降低到大约0.3微米和10微米之间，优选在大约0.3微米和2微米之间，因此所公开的UBM结构具有对半导体器件上的应力改善。纯锡层的存在防止了基于镍的层的氧化和污染。也为随后的工艺形成了良好的可焊接表面。还公开了具有所公开的UBM结构的半导体器件及制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102097396A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010569687.2

申请日：2010-10-08

申请人： 宇芯先进技术有限公司

发明人： 刘颂初 ,  林美妮 ,  司徒赛玉 ,  梁伟南

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  C08L79/08 ,  C08L45/00 ,  C08L79/04

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L23/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种防护装置部件的应力缓冲，特别是旨在设置于邻接半导体衬底的面的应力缓冲结构。该应力缓冲结构包括形成在半导体衬底的面上的至少一个聚合物层以及设置在聚合物层上方的多个金属板，其中所述金属板与半导体衬底的连接垫在物理上和电学上隔离。所公开的应力缓冲结构为对应力敏感的半导体零件提供防护。还公开了具有所公开的应力缓冲结构的半导体封装以及制备半导体封装的方法。