发明授权
- 专利标题： 半导体元件及其形成方法
- 专利标题（英）： Semiconductor element and forming method
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申请号： CN201110037676.4申请日： 2011-02-10
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公开(公告)号： CN102347284B公开(公告)日： 2015-05-27
- 发明人: 郑明达 , 何明哲 , 刘重希 , 黄见翎 , 林正忠 , 蔡惠榕 , 林正怡
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 张浴月; 刘文意
- 优先权： 12/843,760 2010.07.26 US
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00 ; H01L21/60 ; H01L23/488
摘要：
本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。
公开/授权文献
- CN102347284A 半导体元件及其形成方法 公开/授权日：2012-02-08
IPC分类:
