公开(公告)号：CN102280422B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110224384.1

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的名称是“包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片”。本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN101208798B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680022867.0

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN102280422A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110224384.1

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的名称是“包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片”。本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN101199049B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200680021348.2

申请日：2006-06-28

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  D·纳特卡 ,  M·纽曼 ,  C·古鲁默西

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有应力缓冲圈(250)的过孔(230)的形成方法，其中所述应力缓冲圈可以吸收由周围材料的热膨胀系数的失配所引起的应力。介绍了其他的实施例并要求其权利。

公开(公告)号：CN101208798A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022867.0

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  M·纽曼 ,  D·纳特卡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13224 ,  H01L2224/13239 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13284 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了利用复合材料导电通孔通路的方法、设备和系统，复合材料具有形成连续相的基质和嵌入粒子，嵌入粒子具有与基质不同的材料特性，形成分散相，导致复合材料具有与基质不同的材料特性。

公开(公告)号：CN101199049A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021348.2

申请日：2006-06-28

申请人： 英特尔公司

发明人： L·阿拉纳 ,  D·纳特卡 ,  M·纽曼 ,  C·古鲁默西

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有应力缓冲圈(250)的过孔(230)的形成方法，其中所述应力缓冲圈可以吸收由周围材料的热膨胀系数的失配所引起的应力。介绍了其他的实施例并要求其权利。