公开(公告)号：CN109755090B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201810851276.9

申请日：2018-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡文凯 ,  梁文哲 ,  李肇耿 ,  许正杰 ,  张致国 ,  李幸璁 ,  吴丰光 ,  刘旭水

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种制造系统，包括半导体工艺机台、计算装置以及故障检测与分类系统。半导体工艺机台包括电极以及射频感测器以执行半导体制造程序来制造集成电路。射频感测器无线地感测射频信号的强度。计算装置基于所感测到的射频信号的强度提取统计特征值。故障检测与分类系统根据所提取的统计特征值确定射频信号的强度是否符合阈值或阈值范围。当所感测的射频信号的强度超过阈值或阈值范围时，故障检测与分类系统通知半导体工艺机台调整射频信号，或停止半导体工艺机台以检查部件损坏。

公开(公告)号：CN108231535A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710646918.7

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施佑龙 ,  李肇耿 ,  郭铂漳 ,  张庆全 ,  林奕安

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44

Abstract: 一种具有钝化层的半导体装置的制造方法，包括使用第一沉积制程，沉积介电层于导电垫上方。上述方法还包括使用高密度等离子化学气相沉积，沉积第一钝化层直接位于上述介电层的上方。上述第一沉积制程与高密度等离子化学气相沉积不同。所述介电层的厚度足以避免在沉积第一钝化层所产生的电荷到达所述导电垫。

公开(公告)号：CN109755090A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810851276.9

申请日：2018-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡文凯 ,  梁文哲 ,  李肇耿 ,  许正杰 ,  张致国 ,  李幸璁 ,  吴丰光 ,  刘旭水

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种制造系统，包括半导体工艺机台、计算装置以及故障检测与分类系统。半导体工艺机台包括电极以及射频感测器以执行半导体制造程序来制造集成电路。射频感测器无线地感测射频信号的强度。计算装置基于所感测到的射频信号的强度提取统计特征值。故障检测与分类系统根据所提取的统计特征值确定射频信号的强度是否符合阈值或阈值范围。当所感测的射频信号的强度超过阈值或阈值范围时，故障检测与分类系统通知半导体工艺机台调整射频信号，或停止半导体工艺机台以检查部件损坏。

公开(公告)号：CN101162725B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。

公开(公告)号：CN101770969A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200810187787.1

申请日：2008-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林钧潮 ,  张永欣 ,  李肇耿 ,  廖维贞 ,  赖明志 ,  张伟 ,  梁新胜

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及一种可提供晶片较大的摩擦力的机械手臂的末端执行器，其具有一平板用以承载晶片。在平板的两端且对齐晶片的边缘之处设置有多个凸块，每一个凸块均具有一个接触面用以直接接触晶片的背面。其中，每一接触面的中心线平均粗糙度均介于约20微寸到约50微寸之间。由于接触面的粗糙度较大，故可提供晶片较大的摩擦力。

公开(公告)号：CN101162725A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。