公开(公告)号：CN100411185C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510103048.6

申请日：2005-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张伟 ,  林建良 ,  杨荣成 ,  洪家骏 ,  刘时闵

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14687

Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器，并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。

公开(公告)号：CN1750267A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510103048.6

申请日：2005-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张伟 ,  林建良 ,  杨荣成 ,  洪家骏 ,  刘时闵

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14687

Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器，并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。

公开(公告)号：CN101162725A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。

公开(公告)号：CN101162725B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。