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公开(公告)号：CN109578581A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810343907.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16J15/00
Abstract: 一种包含金属覆盖的密封件、其制造方法及其使用方法。密封件包括主体及设置于主体的至少一表面上的覆盖层。主体包括聚合弹性体，例如全氟化弹性体或氟化弹性体。覆盖层包括至少一金属。密封件可以是密封口、垫圈、O型密封圈、T型密封圈或任何合适的产品。密封件对紫外光和电浆具有耐受性，且可以用于密封半导体制程室。
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公开(公告)号：CN100411185C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510103048.6
申请日：2005-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14687
Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器，并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。
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公开(公告)号：CN1750267A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510103048.6
申请日：2005-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/14687
Abstract: 一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区域中的至少一部分蚀刻终止层来曝光图像传感器，并以至少一层透明保护层来覆盖图像传感器和晶体管元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108242412A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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公开(公告)号：CN109578581B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201810343907.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16J15/00
Abstract: 一种包含金属覆盖的密封件、其制造方法及其使用方法。密封件包括主体及设置于主体的至少一表面上的覆盖层。主体包括聚合弹性体，例如全氟化弹性体或氟化弹性体。覆盖层包括至少一金属。密封件可以是密封口、垫圈、O型密封圈、T型密封圈或任何合适的产品。密封件对紫外光和电浆具有耐受性，且可以用于密封半导体制程室。
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公开(公告)号：CN107887254B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710624915.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。
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公开(公告)号：CN108242412B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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公开(公告)号：CN107887254A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710624915.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L21/76804 , H01L23/5384
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。
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