公开(公告)号：CN107887254A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710624915.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  朱立轩 ,  温庆文 ,  洪家骏 ,  张振涼 ,  李锦思 ,  刘乡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5384

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。

公开(公告)号：CN107887254B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201710624915.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  朱立轩 ,  温庆文 ,  洪家骏 ,  张振涼 ,  李锦思 ,  刘乡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。