公开(公告)号：CN107887254B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201710624915.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  朱立轩 ,  温庆文 ,  洪家骏 ,  张振涼 ,  李锦思 ,  刘乡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。

公开(公告)号：CN107887254A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710624915.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  朱立轩 ,  温庆文 ,  洪家骏 ,  张振涼 ,  李锦思 ,  刘乡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5384

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。

公开(公告)号：CN117316771A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311319701.7

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏颖 ,  吴正一 ,  凃弘恩 ,  程仲良 ,  朱立轩 ,  萧翔隆 ,  宋慧琳 ,  洪思远 ,  罗盛永 ,  邱丞伟 ,  谢志威 ,  李锦思

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L23/532 ,  H01L29/417 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  C23C16/16

Abstract: 一种制作半导体元件的方法包含以下步骤。形成鳍片于基材上。形成栅极横跨鳍片。形成层间介电层以覆盖栅极。蚀刻层间介电层以于层间介电层中形成开口，其中栅极透过开口暴露。使用无氟前驱物来执行化学气相沉积，以于开口中形成栅极接触，其中栅极接触包括钨。

公开(公告)号：CN109728091A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810201183.1

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏颖 ,  吴正一 ,  凃弘恩 ,  程仲良 ,  朱立轩 ,  萧翔隆 ,  宋慧琳 ,  洪思远 ,  罗盛永 ,  邱丞伟 ,  谢志威 ,  李锦思

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L23/535

Abstract: 半导体元件包含：位于基材上的鳍片结构；横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征；沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征；以及由钨形成的多个接触结构，其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之一耦合。