公开(公告)号：CN109728091A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810201183.1

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏颖 ,  吴正一 ,  凃弘恩 ,  程仲良 ,  朱立轩 ,  萧翔隆 ,  宋慧琳 ,  洪思远 ,  罗盛永 ,  邱丞伟 ,  谢志威 ,  李锦思

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L23/535

Abstract: 半导体元件包含：位于基材上的鳍片结构；横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征；沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征；以及由钨形成的多个接触结构，其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之一耦合。

公开(公告)号：CN117316771A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311319701.7

申请日：2018-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏颖 ,  吴正一 ,  凃弘恩 ,  程仲良 ,  朱立轩 ,  萧翔隆 ,  宋慧琳 ,  洪思远 ,  罗盛永 ,  邱丞伟 ,  谢志威 ,  李锦思

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L23/532 ,  H01L29/417 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  C23C16/16

Abstract: 一种制作半导体元件的方法包含以下步骤。形成鳍片于基材上。形成栅极横跨鳍片。形成层间介电层以覆盖栅极。蚀刻层间介电层以于层间介电层中形成开口，其中栅极透过开口暴露。使用无氟前驱物来执行化学气相沉积，以于开口中形成栅极接触，其中栅极接触包括钨。