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公开(公告)号：CN111508822A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010268296.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
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公开(公告)号：CN107887254A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710624915.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L21/76804 , H01L23/5384
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。
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公开(公告)号：CN107887254B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710624915.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。
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公开(公告)号：CN105931945A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510446545.X
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
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公开(公告)号：CN222338257U
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202420613493.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , B65G49/07 , H01L21/677
Abstract: 本公开的实施例提供一种真空尖头及取放工具。其可在不使晶粒变形的情况下执行集成电路晶粒的附接和分离。在一实施例中，提供一种用于运送集成电路晶粒的真空尖头。所述真空尖头包括具有顶面和底面的主体，以及形成在顶面中并进入主体的多个凹槽，其中凹槽从主体的中心点径向向外延伸。所述真空尖头还包括在主体中的通道，其中通道从凹槽的底部穿过主体延伸到主体的底面，且通道和主体基本上同轴。
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