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公开(公告)号：CN111508822A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010268296.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
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公开(公告)号：CN107039238A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610907217.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , C23C16/455
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成晶体管。从化学汽相沉积(CVD)装置的喷头提供前体气体以形成覆盖晶体管和衬底的接触蚀刻停止层(CESL)。喷头的温度控制在约70℃至约100℃的范围内以控制前体气体的温度。本发明的实施例还提供了化学汽相沉积装置。
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公开(公告)号：CN113380694A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110219970.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于减少电迁移的结构和方法。根据本发明的互连结构包括嵌入在介电层中的导电部件、设置在导电部件和介电层上方的覆盖阻挡层以及夹在覆盖阻挡层和介电层之间的粘合层。该粘合层具有约40％和约70％之间的结晶度。本申请的实施例还涉及互连结构、半导体结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013102A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010935547.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。
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公开(公告)号：CN107039238B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610907217.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , C23C16/455
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成晶体管。从化学汽相沉积(CVD)装置的喷头提供前体气体以形成覆盖晶体管和衬底的接触蚀刻停止层(CESL)。喷头的温度控制在约70℃至约100℃的范围内以控制前体气体的温度。本发明的实施例还提供了化学汽相沉积装置。
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公开(公告)号：CN113013102B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202010935547.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。
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公开(公告)号：CN113314522A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011329011.6
申请日：2020-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，包括鳍式场效晶体管的半导体装置包括：第一栅极结构其在第一方向上延伸；第二栅极结构其在第一方向上延伸并且在第一方向上与第一栅极结构对准；第三栅极结构其在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一栅极结构平行地排列；第四栅极结构其在第一方向上延伸且与第三栅极结构对准并且与第二栅极结构平行排列；层间介电层其设置在介于第一至第四栅极电极之间；以及分隔壁其由不同于层间介电层的材料制成并且设置在介于第一和第三栅极结构与第二和第四栅结构之间。
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公开(公告)号：CN105931945A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510446545.X
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
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