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公开(公告)号：CN106887398A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610688948.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本发明揭露一种用于制造半导体的机构、系统及方法。本发明的实施例提供的半导体制造机构包含制程腔、晶圆座、第一化学物输送机构，及第二化学物输送机构。其中晶圆座配置于制程腔内，且晶圆座操作于固定晶圆并以中心轴为圆心旋转多个晶圆。第一化学物输送机构配置于制程腔内以提供第一化学物至制程腔内的第一反应区。第二化学物输送机构配置于制程腔内以提供第二化学物至制程腔内的第二反应区。第二化学物输送机构包含边缘化学物注入器及径向化学物注入器。
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公开(公告)号：CN104752504A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410332365.4
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7845 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2253 , H01L21/30604 , H01L23/535 , H01L29/045 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构和邻近隔离结构形成的源极/漏极应激源结构。源极/漏极应激源结构包括沿着(311)和(111)晶体取向形成的覆盖层。
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公开(公告)号：CN106887398B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201610688948.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本发明揭露一种用于制造半导体的机构、系统及方法。本发明的实施例提供的半导体制造机构包含制程腔、晶圆座、第一化学物输送机构，及第二化学物输送机构。其中晶圆座配置于制程腔内，且晶圆座操作于固定晶圆并以中心轴为圆心旋转多个晶圆。第一化学物输送机构配置于制程腔内以提供第一化学物至制程腔内的第一反应区。第二化学物输送机构配置于制程腔内以提供第二化学物至制程腔内的第二反应区。第二化学物输送机构包含边缘化学物注入器及径向化学物注入器。
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公开(公告)号：CN108122853A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711020152.8
申请日：2017-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/28035 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L21/84 , H01L21/845 , H01L21/86
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，包含在基板上沉积硅层，移除一部分的硅层以形成栅极堆叠，以及在栅极堆叠上进行氢处理以修复堆叠结构中的多个空隙。
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公开(公告)号：CN113013102A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010935547.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。
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公开(公告)号：CN1474438A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN02127646.3
申请日：2002-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/285 , H01L21/768
Abstract: 一种金属层间介电结构，是形成于一半导体基底表面上。半导体基底表面上包括有：复数个金属层，一金属层间介电层，覆盖金属层以及半导体基底的表面至一预定高度，以及一具有高压缩应力的氧化物盖层，覆盖金属层间介电层的表面。其中，金属层间介电层以及氧化物盖层的压缩应力的总值需接近于金属层的伸张应力，以防止金属层以及介电层的应力相差过大而造成裂缝现象。本发明使用高密度电浆－源射频(HDP－SRF)方法形成氧化物盖层，可大幅提高氧化物盖层的压缩应力，以解决常见的裂缝缺陷以及气泡问题，另，可使氧化物盖层内部具有更多的悬浮键(dangling bond)，足以截留扩散的氟离子。
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公开(公告)号：CN113013102B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202010935547.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路晶粒及其制造方法，集成电路晶粒包括FinFET晶体管。FinFET晶体管包括在通道区域下方的防冲穿区域。在形成源极区域及漏极区域的过程中，从防冲穿区域移除不需要的掺杂剂。当形成源极及漏极凹座时，在凹座中沉积介电材料层。接着执行退火制程。在退火制程中，不需要的掺杂剂从防冲穿区域扩散至介电材料层内。接着，移除介电材料层。然后，通过在凹座中沉积半导体材料来形成源极区域及漏极区域。
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公开(公告)号：CN115132621A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210633849.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 根据一个实施例，本发明提供了半导体处理装置。半导体处理装置包括腔室；位于腔室中用于支撑半导体衬底的基站；围绕基站的预热组件；相对于基站固定并且被配置为将热量引导至半导体衬底的第一加热元件；以及相对于基站可移动并且可操作地将热量引导至半导体衬底的部分的第二加热元件。本发明的实施例还提供了半导体制造的方法。
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公开(公告)号：CN104752504B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201410332365.4
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7845 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2253 , H01L21/30604 , H01L23/535 , H01L29/045 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/165 , H01L29/36 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构和邻近隔离结构形成的源极/漏极应激源结构。源极/漏极应激源结构包括沿着(311)和(111)晶体取向形成的覆盖层。
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