公开(公告)号：CN104752504B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410332365.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信烨 ,  张凯翔 ,  江知谌 ,  彭翊玮 ,  林冠宇 ,  蔡明山 ,  赖经纶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构和邻近隔离结构形成的源极/漏极应激源结构。源极/漏极应激源结构包括沿着(311)和(111)晶体取向形成的覆盖层。

公开(公告)号：CN104752504A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410332365.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信烨 ,  张凯翔 ,  江知谌 ,  彭翊玮 ,  林冠宇 ,  蔡明山 ,  赖经纶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构和邻近隔离结构形成的源极/漏极应激源结构。源极/漏极应激源结构包括沿着(311)和(111)晶体取向形成的覆盖层。