公开(公告)号：CN104752504A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410332365.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信烨 ,  张凯翔 ,  江知谌 ,  彭翊玮 ,  林冠宇 ,  蔡明山 ,  赖经纶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构和邻近隔离结构形成的源极/漏极应激源结构。源极/漏极应激源结构包括沿着(311)和(111)晶体取向形成的覆盖层。

公开(公告)号：CN110047775B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201811571300.X

申请日：2018-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张凯翔 ,  蒯光国

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置制造设备与制造方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包含：反应室，其具有用于接收气流的进气口；所述反应室中的基座，所述基座经配置以支撑衬底；及第一气体分布板GDP，其是在所述反应室中且在所述进气口与所述基座之间，其中所述第一GDP经配置以包含沿着径向方向布置的多个同心区以及布置于所述第一GDP的所述同心区中的多个第一孔，外部同心区中的所述第一GDP的开口比率大于接近所述外部同心区中的内部同心区中的开口比率以重新分布所述气流。

公开(公告)号：CN104752504B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410332365.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信烨 ,  张凯翔 ,  江知谌 ,  彭翊玮 ,  林冠宇 ,  蔡明山 ,  赖经纶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。本发明提供了用于形成半导体器件结构的实施例。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅叠层结构。该半导体器件结构还包括形成在栅叠层结构的侧壁上的栅极间隔件。该半导体器件结构还包括形成在衬底中的隔离结构和邻近隔离结构形成的源极/漏极应激源结构。源极/漏极应激源结构包括沿着(311)和(111)晶体取向形成的覆盖层。

公开(公告)号：CN110047775A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811571300.X

申请日：2018-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张凯翔 ,  蒯光国

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置制造设备与制造方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包含：反应室，其具有用于接收气流的进气口；所述反应室中的基座，所述基座经配置以支撑衬底；及第一气体分布板GDP，其是在所述反应室中且在所述进气口与所述基座之间，其中所述第一GDP经配置以包含沿着径向方向布置的多个同心区以及布置于所述第一GDP的所述同心区中的多个第一孔，外部同心区中的所述第一GDP的开口比率大于接近所述外部同心区中的内部同心区中的开口比率以重新分布所述气流。