公开(公告)号：CN118610090A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202311539320.X

申请日：2023-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  葛于臣 ,  陈继元 ,  郑雅忆 ,  蔡纯怡 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极/漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极/漏极区域之上形成层间电介质(ILD)层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。

公开(公告)号：CN114566444A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210064911.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨育佳 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开涉及用于制造集成电路的激光辅助外延和蚀刻。一种方法包括：将晶圆置于生产室中；提供加热源以加热晶圆；使用激光投影仪将激光束投射到晶圆上。该方法还包括：当晶圆被加热源和激光束两者加热时，执行从外延工艺中选择的工艺以在晶圆上生长半导体层，并且执行蚀刻工艺以蚀刻半导体层。

公开(公告)号：CN118824943A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410195968.8

申请日：2024-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏修 ,  蔡纯怡 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  章勋明 ,  罗唯仁 ,  林威戎 ,  温钰婷 ,  杨凯杰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485

Abstract: 本申请提供了具有降低的R/C的接触插塞及其形成方法。一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中接触间隔物围绕接触开口；在开口中和源极/漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到接触开口中的粘附层；以及执行处理工艺，使得对接触间隔物进行处理。处理工艺选自由氧化工艺、碳化工艺及其组合组成的组。该方法还包括在粘附层上方沉积金属阻挡物、沉积金属材料以填充接触开口、以及执行平坦化工艺以去除金属材料的位于层间电介质上方的多余部分。

公开(公告)号：CN113270307B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202110356628.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育奇 ,  廖志腾 ,  谭伦光 ,  杨怀德 ,  罗唯仁

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种从蚀刻设备清洁碎屑及污染物的方法。蚀刻设备包括一处理腔室、一射频功率源、在处理腔室内的一静电吸座、一吸座电极、以及连接至吸座电极的一直流功率源。清洁方法包括放置一基板在静电吸座的一表面上；施加一等离子体至基板，借此在基板的表面上产生一带正电的表面；施加一负电压或一射频脉冲至静电吸座，借此使来自静电吸座表面的碎屑粒子及/或污染物带负电，且导致碎屑粒子及/或污染物附接至带正电的基板表面；以及从蚀刻设备移除基板，借此将碎屑粒子及/或污染物从蚀刻设备移除。

公开(公告)号：CN113161288A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110161360.X

申请日：2021-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗唯仁 ,  施伯铮 ,  章勋明 ,  李资良

IPC: H01L21/768

Abstract: 本申请涉及通过光敏化方法图案化互联和其它结构。代表性方法包括在基材上方形成光敏材料；和在光敏材料上方形成盖层；以及图案化盖层。使用图案化的盖层，将光敏材料的第一部分选择性暴露到预选择的光波长以改变光敏材料的第一部分的至少一个材料性质，同时防止光敏材料的第二部分暴露到预选择的光波长。然后进行以下步骤中的一个，但不是两个：去除光敏材料的第一部分，并在其位置形成被光敏材料的第二部分至少部分地围绕的导电元件，或去除光敏材料的第二部分，并从光敏材料的第一部分形成电连接电路的两个或更多个部分的导电元件。

公开(公告)号：CN108231554A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710889749.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  陈炫辰 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  辜耀进 ,  罗唯仁 ,  严涛南 ,  林进祥 ,  钱志道

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F1/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337

Abstract: 本申请实施例提供半导体元件的制造方法，包括形成第一介电层于基板的背表面之上；在形成第一介电层之后，形成石墨烯层于基板的前表面之上；在形成石墨烯层之后，图案化第一介电层以于第一介电层中形成开口，其露出基板的背表面的一部分；当使用图案化的第一介电层为罩幕时，对基板的背表面进行蚀刻工艺以形成护膜，其具有包括石墨烯层的护膜膜片。

公开(公告)号：CN104701310A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410734195.2

申请日：2014-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李达元 ,  刘冠廷 ,  钟鸿钦 ,  李显铭 ,  张文 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶粒取向。本发明还提供了制造具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN119008408A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202311871719.8

申请日：2023-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林哲宇 ,  程健家 ,  张智强 ,  郭建亿 ,  游明华 ,  李启弘 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了半导体器件的外延结构及其制造方法。本公开提供一种半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：在衬底之上形成堆叠；通过图案化堆叠和衬底来形成鳍形结构；使鳍形结构凹陷以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中沉积电介质膜，电介质膜的顶表面低于鳍形结构中的衬底的顶表面；以及在电介质膜之上形成外延特征。外延特征的底表面低于鳍形结构中的衬底的顶表面。

公开(公告)号：CN118825055A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202311594168.5

申请日：2023-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗唯仁 ,  章勋明 ,  张慕杰 ,  李资良

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及通过刺激形成内部间隔物。一种方法包括形成层堆叠，该层堆叠包括多个半导体纳米结构和多个牺牲层。多个半导体纳米结构和多个牺牲层交替排列。该方法还包括使多个牺牲层横向凹陷以形成横向凹槽、沉积延伸到横向凹槽中的间隔物层、修整间隔物层以形成内部间隔物、以及执行处理工艺以减小内部间隔物的介电常数值。

公开(公告)号：CN118231336A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311044633.8

申请日：2023-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗唯仁 ,  章勋明 ,  蔡明兴 ,  林俊杰 ,  苏鸿文 ,  李亚莲 ,  曾志翰 ,  郭至诚 ,  赖怡安 ,  黄奎文 ,  何冠宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请公开了互连结构中的选择性金属帽。各实施例提供一种方法和所得结构，该方法包括：在电介质层中形成开口以暴露金属特征，在金属特征上选择性地沉积金属帽，在金属帽之上沉积阻挡层，以及在阻挡层上沉积导电填充物。