公开(公告)号：CN108231554A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710889749.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  陈炫辰 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  辜耀进 ,  罗唯仁 ,  严涛南 ,  林进祥 ,  钱志道

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F1/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337

Abstract: 本申请实施例提供半导体元件的制造方法，包括形成第一介电层于基板的背表面之上；在形成第一介电层之后，形成石墨烯层于基板的前表面之上；在形成石墨烯层之后，图案化第一介电层以于第一介电层中形成开口，其露出基板的背表面的一部分；当使用图案化的第一介电层为罩幕时，对基板的背表面进行蚀刻工艺以形成护膜，其具有包括石墨烯层的护膜膜片。

公开(公告)号：CN108227414B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201710514850.7

申请日：2017-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林云跃 ,  陈炫辰 ,  王宣懿 ,  严涛南

IPC: G03F9/00

Abstract: 一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。

公开(公告)号：CN107015431B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201611063636.6

申请日：2016-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  林云跃 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林志诚 ,  陈政宏

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。

公开(公告)号：CN107015431A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611063636.6

申请日：2016-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  林云跃 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林志诚 ,  陈政宏

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。

公开(公告)号：CN107885029B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201610863472.9

申请日：2016-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  王宣懿 ,  林云跃 ,  林志诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/62

Abstract: 本揭露提供一种薄膜组件的制造方法，包括在一晶圆上形成一第一材料层，第一材料层为一透光薄膜。在第一材料层上形成一第二材料层。在第二材料层内形成一开口，开口露出第一材料层的一中心部分。在第二材料层内形成一沟槽，沟槽环绕开口。在第二材料层上形成一保护层，保护层填入开口，以覆盖第一材料层的中心部分。沿着沟槽进行一激光工艺，使得沟槽延伸穿过第二材料层及第一材料层，以去除沟槽外侧的第二材料层及第一材料层。在进行激光工艺之后，去除保护层及晶圆，以形成一薄膜组件。

公开(公告)号：CN108227414A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710514850.7

申请日：2017-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林云跃 ,  陈炫辰 ,  王宣懿 ,  严涛南

IPC: G03F9/00

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/2004 ,  G03F9/70 ,  G03F9/7096

Abstract: 一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。

公开(公告)号：CN107885029A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610863472.9

申请日：2016-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炫辰 ,  王宣懿 ,  林云跃 ,  林志诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/62

CPC classification number: G03F1/62

Abstract: 本揭露提供一种薄膜组件的制造方法，包括在一晶圆上形成一第一材料层，第一材料层为一透光薄膜。在第一材料层上形成一第二材料层。在第二材料层内形成一开口，开口露出第一材料层的一中心部分。在第二材料层内形成一沟槽，沟槽环绕开口。在第二材料层上形成一保护层，保护层填入开口，以覆盖第一材料层的中心部分。沿着沟槽进行一激光工艺，使得沟槽延伸穿过第二材料层及第一材料层，以去除沟槽外侧的第二材料层及第一材料层。在进行激光工艺之后，去除保护层及晶圆，以形成一薄膜组件。