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公开(公告)号：CN108227414B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710514850.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119916637A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411670093.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种EUV光刻掩膜胚料、EUV掩膜及方法。所述EUV光刻掩模包括基底、包括铑合金的图案化的吸收层。在一些实施方式中，铑合金包括具有特定EUV折射指数和特定EUV消光系数的第5族、第6族、第9族、第10族或第11族过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减少了不合需要的掩模3D效应。
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公开(公告)号：CN119511627A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411417912.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有高消光系数吸收体的光刻掩模及相关系统和方法。提供了一种极紫外(EUV)掩模和形成EUV掩模的方法。该方法包括：在半导体晶片上形成掩模层；通过光刻曝光系统产生极紫外(EUV)光；通过由掩模对EUV光进行图案化来形成经图案化的EUV光，该掩模包括吸收体，该吸收体在EUV波长下具有的消光系数超过TaBN和TaN在该EUV波长下的消光系数；以及通过经图案化的EUV光曝光掩模层。
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公开(公告)号：CN107885029B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201610863472.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/62
Abstract: 本揭露提供一种薄膜组件的制造方法，包括在一晶圆上形成一第一材料层，第一材料层为一透光薄膜。在第一材料层上形成一第二材料层。在第二材料层内形成一开口，开口露出第一材料层的一中心部分。在第二材料层内形成一沟槽，沟槽环绕开口。在第二材料层上形成一保护层，保护层填入开口，以覆盖第一材料层的中心部分。沿着沟槽进行一激光工艺，使得沟槽延伸穿过第二材料层及第一材料层，以去除沟槽外侧的第二材料层及第一材料层。在进行激光工艺之后，去除保护层及晶圆，以形成一薄膜组件。
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公开(公告)号：CN108227414A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710514850.7
申请日：2017-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F1/64 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/2004 , G03F9/70 , G03F9/7096
Abstract: 一种掩模结构，包括：一极紫外光掩模；一薄膜组件，附接于该极紫外光掩模，其中该薄膜组件包括：一薄膜框架；多个薄膜层，附接于该薄膜框架，其中该些薄膜层包括：至少一层核心薄膜层；以及一额外薄膜层，位于该至少一层核心薄膜层之上，且为该些薄膜层的最接近相邻该极紫外光掩模的一层，其中该额外薄膜层为碳化硅。
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公开(公告)号：CN107885029A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610863472.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 本揭露提供一种薄膜组件的制造方法，包括在一晶圆上形成一第一材料层，第一材料层为一透光薄膜。在第一材料层上形成一第二材料层。在第二材料层内形成一开口，开口露出第一材料层的一中心部分。在第二材料层内形成一沟槽，沟槽环绕开口。在第二材料层上形成一保护层，保护层填入开口，以覆盖第一材料层的中心部分。沿着沟槽进行一激光工艺，使得沟槽延伸穿过第二材料层及第一材料层，以去除沟槽外侧的第二材料层及第一材料层。在进行激光工艺之后，去除保护层及晶圆，以形成一薄膜组件。
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