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公开(公告)号：CN109143801A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710690064.2
申请日：2017-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种光掩模包括：图案区；以及多个缺陷，位于所述图案区中。所述光掩模进一步包括：第一基准标记，位于所述图案区之外，其中所述第一基准标记包括所述光掩模的识别信息，所述第一基准标记具有第一大小及第一形状。所述光掩模进一步包括：第二基准标记，位于所述图案区之外。所述第二基准标记具有：第二大小，不同于所述第一大小，或者第二形状，不同于所述第一形状。
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公开(公告)号：CN119511627A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411417912.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有高消光系数吸收体的光刻掩模及相关系统和方法。提供了一种极紫外(EUV)掩模和形成EUV掩模的方法。该方法包括：在半导体晶片上形成掩模层；通过光刻曝光系统产生极紫外(EUV)光；通过由掩模对EUV光进行图案化来形成经图案化的EUV光，该掩模包括吸收体，该吸收体在EUV波长下具有的消光系数超过TaBN和TaN在该EUV波长下的消光系数；以及通过经图案化的EUV光曝光掩模层。
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公开(公告)号：CN115145109A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210458972.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及带有合金基吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、衬底上的反射多层堆叠和反射多层堆叠上的多层经图案化吸收体层。所公开的实施例包括含有如下合金的吸收体层：该合金包括钌Ru、铬Cr、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd以及至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf、硼B、氮N、硅Si、锆Zr或钒V。其他实施例包括具有包含合金和合金元素的层的多层经图案化吸收体结构，其中多层结构中的至少两层具有不同的成分。
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公开(公告)号：CN117348330A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310558044.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/32
Abstract: 本申请公开了制造光掩模的方法。在一种制造衰减相移掩模的方法中，在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案。该掩模基板包括透明衬底、透明衬底上的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的相移材料层、相移材料层上的硬掩模层、以及硬掩模层上的中间层。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化中间层，通过使用经图案化的中间层作为蚀刻掩模来图案化硬掩模层，以及通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化相移材料层。中间层包括过渡金属、过渡金属合金或含硅材料中的至少一种，并且硬掩模层由与中间层不同的材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113267956A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110137144.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。
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公开(公告)号：CN113267956B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110137144.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。
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公开(公告)号：CN115877649A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210859358.4
申请日：2022-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。
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公开(公告)号：CN114647156A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210126552.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了带涂覆层的光学组件及使用方法。在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件(例如，薄膜组件)的涂覆层。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。
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